晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件

　　晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。

　　二战时，军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的电信号放大元件，研究成果在二战结束后获得。

　　早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

　　发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；

　　集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。

　　工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

　　集-射极电压UCE为某特定值时，基极电流IB与基-射电压UBE的关系曲线。

　　UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

　　UCE增大，特性曲线右移，但当UCE1.0V后，特性曲线几乎不再移动。

　　基极电流IB一定时，集极IC与集-射电压UCE之间的关系曲线，是一组曲线。

　　当IB0时, IB轻微的变化,会在IC上以几十甚至百多倍放大表现出来；

　　当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

　　信号频率在某一范围内，β值接近一常数，当频率越过某一数值后，β值会明显减少。

　　β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

　　ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。

　　虽然常温下硅管的漏电流ICEO很小，但温度升高后，漏电流会高达几百微安以上。

　　温度上升，β、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源、散热等,克服温度对三极管性能的影响。

　　不同的国家/地区对三极管型号命名方式不同。还有很多厂家使用自己的命名方式。

　　三极管设计额定功率越大，其体积就越大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。

　　当前，塑料封装是三极管的主流封装形式，其中“TO”和“SOT”形式封装最为常见。

　　规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

　　规律二：对贴片三极管，面向标识时，左为基极，右为发射极，集电极在另一边；

　　集/射极间电压UCEUBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿,造成永久性损坏。

　　随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率ƒT叫作三极管的特征频率。