E(y)控制, 有 ID = A(y) q μn ND E(y) . 总之, GCA就是用两组相互垂直的等位面来描述E(x)和E(y)的作用, 即是 把E(x)和E(y) 的作用分开来考虑: 栅结势垒宽度只决定于E(x), 沟道电流 只决定于E(y). 在夹断区, 该近似不适用(因Ey不再缓变); 对短沟道器件, 该近似也不适用

　　① 输入阻抗高； ② 温度稳定性好； ③ 噪声小； ④ 大电流特性好； ⑤ 无少子存储效应，开关速度高； ⑥ 制造工艺简单； ⑦ 各管之间存在天然隔离，适宜于制作 VLSI 。

　　JFET 和 MESFET 的工作原理相同。以 JFET 为例，用一个低掺 杂的半导体作为导电沟道，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结， 并加上反向电压。利用 PN 结势垒区宽度随反向电压的变化而变 化的特点来控制导电沟道的截面积，从而控制沟道的导电能力。 两种 FET 的不同之处仅在于，JFET 是利用 PN 结作为控制栅， 而 MESFET 则是利用金- 半结（肖特基势垒结）来作为控制栅。

　　路中采用。 • 1980 MODFET：调制掺杂型场效应晶体管，会是最快的场

　　• 2001 15nmMOSFET：最先进的集成电路芯片的基本单元， 可容纳1万亿以上的管子。

　　通过加在半导体表面上的垂直电场来调制半导体的的现象 称为场效应。场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET） 是另一类重要的微电子器件。这是一种电压控制型多子导电器 件，又称为单极型晶体管。这种器件与双极型晶体管相比，有 以下优点：

　　在平衡 (不加电压)时, 沟道电阻最小; 电压VDS和VGS都可改变栅结势垒宽度 → 改变沟道电阻 →从而改变 IDS .

　　20微米，栅氧化层厚度100nm，铝栅电极，AL－SiO2－Si。 • 1972年，CMOS技术以低功耗等优点在大规模生产的LED电

　　衬底是低阻n型; 2个对称的pn结构成栅极; 中间留有沟道(长为L, 宽为W).

　　IGFET 的工作原理略有不同，利用电场能来控制半导体的表面 状态，从而控制沟道的导电能力。

　　根据沟道导电类型的不同，每类 FET 又可分为 N 沟道器件 和P 沟道器件。

　　沟道夹断, IDS = 0 . 根据栅p-n结耗尽层厚度等于沟道宽度, 得:

　　变~缓变; 于是栅结势垒宽度只受E(x)控制, 求解其中的Poisson方程即