通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在

　　两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。

　　JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF器件”，可以在耗尽模式和增强模式下工作并具有高漏极电阻。

　　JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写，由栅极、源极和漏极 3 个端子组成。

　　在 JFET 中，电场施加在控制电流流动的栅极端子上。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比。

　　施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极。因此，从漏极流向源极的电流称为漏极电流ID。

　　当栅极端子相对于源极为负时，耗尽区的宽度增加。因此，与无偏置条件相比，允许较少数量的电子从源极移动到漏极。

　　随着施加更多的负栅极电压，耗尽区的宽度将进一步增加。因此，达到了完全切断漏极电流的条件。

　　MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写。在这里，器件的电导率也根据施加的电压而变化。

　　在耗尽型 MOSFET 中间存在预先构建的沟道。因此，施加的栅源电压将器件切换到关闭状态。

　　相反，在增强型MOSFET中，不存在任何预先构建的沟道。在这里，传导开始于通过施加的电压创建通道。

　　在 D-MOS 中，负施加的栅极电位增加了沟道电阻，从而降低了漏极电流。相反，在 E-MOS 中，其工作需要大的正栅极电压。

　　JFET称为结型场效应晶体管，MOSFET称为金属氧化物半导体场效应晶体管。

　　JFET 不会在沟道处形成电容，而是在沟道和栅极之间的 MOSFET 电容中形成。

　　JFET 是一个简单的制造过程，但 MOSFET 是一个复杂的制造过程。

　　JFET 的电导率是由栅极的反向偏置控制的，而 MOSFET 的电导率是由沟道中感应的载流子控制的。

　　在 JFET 沟道和栅极中形成两个 PN 结，但在 MOSFET 沟道和栅极中由两个并联电容组成。

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