JFET是结栅场效应晶体管，普通晶体管是电流控制器件，需要电流进行偏置，而JFET是电压控制器件。与 MOSFET 一样，JFET 具有三个端子Gate、Drain和Source。

　　在实际应用当中，不同类型的技术用于以适当的方式偏置JFET。从各种技术来看，以下三种被广泛使用：

　　在 N 沟道 JFET 的固定直流偏置技术中，JFET 的栅极以这样的方式连接，即 JFET 的 V GS始终保持负值。由于 JFET 的输入阻抗非常高，因此在输入信号中没有观察到负载效应。流过电阻器 R1 的电流保持为零。

　　当我们在输入电容器 C1 上施加交流信号时，信号出现在栅极上。现在，如果我们计算 R1 上的电压降，根据欧姆定律，它将是 V = I x R 或 V降= 栅极电流 x R1。由于流向栅极的电流为 0，因此栅极上的电压降保持为零。因此，通过这种偏置技术，我们可以通过改变固定电压来控制 JFET 漏极电流，从而改变 V GS。

　　在自偏置技术中，在源极引脚上添加了一个电阻器。源极电阻器 R2 上的电压降产生 V GS以偏置电压。在这种技术中，栅极电流再次为零。源电压由相同的欧姆定律决定 V = I x R。因此源电压 = 漏极电流 x 源电阻。现在，可以通过栅极电压和源极电压之间的差异来确定栅极到源极电压。

　　由于栅极电压为 0（因为栅极电流为 0，根据 V = IR，栅极电压 = 栅极电流 x 栅极电阻 = 0）V GS = 0 – 栅极电流 x 源极电阻。因此不需要外部偏置源，偏置是由自身产生的。

　　在这种技术中，使用了一个额外的电阻器，并且对自偏置技术的电路稍作修改，使用 R1 和 R2 的分压器为 JFET 提供所需的直流偏置。源电阻上的电压降需要大于电阻分压器的栅极电压。这样，V GS保持负值。

　　以上就是结型场效应管JFET 的构造和三种偏置方式，在实际应用中非常广泛。当然，选择正确的偏置方式也至关重要。

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