江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 文件编号 XS-J-083 W2XN972A 版 本 号 16-A1-04 NPN 型达林顿晶体管 页 码 1/2 1 主要用途及主要特点 1.1 主要用途 W2XN972A 封装的成品管，主要用于小信号的功率放大电路中。 1.2 主要特点  高温特性好  共发射极正向电流传输比h 大 FE  反向漏电小 2 芯片数据 芯片示意图 芯片尺寸（mm×mm） 0.65×0.65 芯片厚度（µm） 220±20 * 划片道尺寸（µm） 60 键合区面积 基 区 115×130 2 (µm ) 发射区 150×140 钝化层 Si N 3 4 金属 铝 正面电极 厚度（µm） 4.0±0.6 背面电极 金属 锡银 硅片直径（㎜） φ125 装片要求 （推荐） 低温共晶 铜丝；E 区：φ42 μm，两根； 键合要求 （推荐） B 区：φ42 μm，一根； * 划片道位置示意图： 3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下) 3.1 极限值 除非另有规定，T = 25℃ amb 参 数 名 称 符号 额定值 单位 备注 集电极-基 极电压 VCB0 80 V 推荐封装形式：SOT-23 集电极-发射极电压 VCE0 60 V 推荐成品型号：BCV47 发射极-基 极电压 VEB0 10 V 集电极电流 IC 0.5 A 耗散功率(T =25℃) P 0.3 W amb tot 结温 Tj 150 ℃ 贮存温度 Tstg -55～150 ℃ 江阴新顺微电子有限公司 地 址：江苏省江阴市滨江中路275 号 网址： 电 线 传线 江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 文件编号 XS-J-083 W2XN972A 版 本 号 16-A1-04 NPN 型达林顿晶体管 页 码 2/2 3.2 电参数 除非另有规定，T = 25℃ amb 规 范 值 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 单位 最小 典型 最大 集电极-基极截止电流 I V =60V, I=0 100 nA CB0 CB E 发射极-基极截止电流 I V =4 V ,I =0 100 mA EB0 EB C 共发射极正向电流传输比的静态值 h V =5V, I =100mA 10000 FE CE C 集电极-发射极饱和电压 V I=100mA,I =0.1mA 1 V CEsat C B 注意事项：  芯片存储条件（推荐）：氮气保护，温度25±5℃，湿度≤45%；  本产品说明书仅供参考，不作为合同的一部分，具体以双方签订的技术协议为准；  本产品说明书如有版本变更，恕不另行告知！客户在下单前应获取最新版本资料并验证相 关信息是否完整和更新；  任何半导体产品在特定条件下都有发生失效或故障的可能，买方有责任在使用新顺产品时 遵守安全使用标准并采取安全措施，以避免潜在的失效或故障风险造成人身伤害或财产损 失的发生。 拟制： 审核： 批准： 江阴新顺微电子有限公司 地 址：江苏省江阴市滨江中路275 号 网址： 电 线 传线ae;

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