MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）也叫金属氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管，是一种场效应管。MOSFET成为当前最广泛应用的半导体器件，被广泛应用于各种电子设备中，包括电源、电脑、电视等。

　　MOSFET基本上构成有源区（source）、漏区（drain）和栅区（gate）三部分。在N沟道MOSFET中，一个P型衬底（substrate）上，N型沉积形成源区和漏区，其间沉积绝缘材料（通常是氧化硅）形成栅极。通过改变栅极的电压来改变沟道中的载流子浓度，从而改变源漏间的电导。

　　MOSFET可分为 NPN型和PNP型，NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。

　　按导电方式，MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型、P沟耗尽型和增强型四大类：N沟道消耗型、N沟道增强型、P沟道消耗型、 P沟道增强型。

　　MOSFET的内部结构和电气符号如下图所示，N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。以N沟道型为例，在N沟道MOSFET中，当栅极电压（Vgs）高于阈值电压（Vth）时，会在源和漏之间形成一个N型导电沟道。在这种情况下，沟道上的电子可以自由的由源极流向漏极，整个器件则由阻断状态变为导通状态。当源漏电压足够大时，即使增加栅压，也不再增加源漏电流，此时MOSFET处于饱和状态。

　　Vgs：栅源极最大驱动电压，MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET所能承受的最大驱动电压。一旦驱动电压超过这个极限值，会对MOS管的栅极氧化层产生永久性伤害。

　　VDS：漏源电压，表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的最大电压值。该参数与结温有关系，通常结温越高，VDS值最大。

　　RDS(on)：漏源导通电阻，是MOSFET充分导通时漏-源极之间的等效电阻。该参数与结温和驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds越大；驱动电压越高，Rds越小。

　　Qg：栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0V上升至终止电压所需的充电电荷。也就是MOSFET从截止状态到完全导通状态，驱动电路所需提供的电荷，是一个用于评估MOSFET的驱动电路驱动能力的主要参数。

　　Id：漏极电流，它表示当壳温处于某值时，如果MOSFET工作电流为上述最大漏极电流，则结温会达到最大值。该参数还与器件封装和环境温度有关。

　　Eoss：输出容能量，表示输出电容Coss在MOSFET存储的能量大小。

　　（1）高输入阻抗：MOS管栅电极和源漏区之间有绝缘层，只有微弱的栅电流，所以MOSFET的输入阻抗很高，接近于无穷大。

　　（2）低输出阻抗：由于MOSFET是电压控制器件，其源漏间电流可随输入电压的改变而改变，所以其输出阻抗很小。

　　（3）恒流性：MOSFET在饱和区工作时，即使源漏电压有所变化，其电流也几乎不变，因此MOSFET具有很好的恒流性。

　　（1）开关电路：由于MOSFET具有开关速度快、功耗小、驱动电压低等特性，因此在开关电路中有广泛应用，尤其在高频开关电源中使用。

　　（2）模拟电路：例如在运算放大器中，MOSFET的高输入阻抗有利于提高运放的输入阻抗。

　　（3）数字电路：在具有高集成度的数字逻辑电路、微处理器、存储芯片等中，均广泛使用了MOSFET。

　　以上是对于MOSFET基本知识的一个初步介绍，全面了解MOSFET是一个深度而广泛的学问，还有很多深入的知识需要通过专业书籍和学习来理解。返回搜狐，查看更多