BJT作为电子开关，被广泛应用于简单的分立器件以及复杂的IC逻辑电路领域中。与PN结二极管相比，BJT提供了更快的开关速度，同时由于具备第三个电极，大大方便了开关步骤。类似于PN结二极管，BJT在“开态”和“关态”转换过程中同样存在时间延迟，这是过剩少数载流子电荷的积累或消耗导致的。

　　作为开关管的BJT，需要尽可能满足以下要求：（1）导通压降尽可能小→0；（2）截止状态下，漏电流尽可能小→0；（3）击穿电压尽可能高（使用范围大）；（4）开关时间尽可能短。

　　共基极BJT的电路图如下图所示，V_{CC}提供发射极-集电极间的直流偏压，R_{L}是输出负载电阻。

　　但是，当I_{B}增大，V_{CE}=V_{CC}-I_{C}\times R_{L}减小，V_{CB}随之减小。当V_{CB}减小至负值，BJT脱离放大状态。因此，将I_{B}增大到使V_{CB}等于0时的状态称为临界放大状态，此时的I_{B}称为临界驱动电流，用I_{BS}表示，即为临界放大条件。

　　关断状态：当I_{B}0，发射结和集电结处于反偏状态，晶体管处于截止区。在截止状态下，集电极电流很小，阻抗很高，晶体管处于“关断”状态（上图中截止区）。此时，输出端C、E之间流过很小的漏电流I_{CEO}

　　导通状态：当输入端电压使得BE结正偏，I_{B}\gg I_{BS}晶体管进入饱和，称为“导通”状态（上图中饱和区）。导通状态下，输出端发射极和集电极之间存在很小的压降，称为饱和电压V_{CES}。导通状态下，即使基极电流I_{B}继续增大，输出电流I_{C}和输出端C、E之间压降V_{CES}基本不变。I_{B}中超出临界驱动电流的部分（即I_{B}- I_{BS}）称为过驱动电流I_{BX}。

　　晶体管的开关作用是通过基极的控制信号使晶体管在饱和（即导通）态与截止态之间往复转换来实现的，而这一转换通过改变BJT内部载流子的分布来完成。

　　但是BJT内载流子分布不能立即改变，需要一个过渡时间，称为开关时间。下面介绍BJT的典型开关过程。

　　下图从上到下依次给出了BJT的输入端B、E间电压V_{BE}，基极电流I_{B}、输出电流（集电极电流）I_{C}和输出端C、E之间电压V_{CE}随时间的变化情况。

　　延迟过程：t_{0}\rightarrow t_{1}(A\rightarrow B) 延迟过程开始时BJT处于截止状态，V_{BE}=V_{iL}，此时I_{C}\approx0，集电结承受反向电压。当tt_{0}，输入回路中有了驱动电流，基极电流提供的空穴的一部分从基区侧填充发射结空间电荷区，中和离化的受主；发射极流入的电子在另一侧填充空间电荷区，中和离化的施主。导致发射结势垒区变窄，发射结从反偏转向正偏，这一过程实际上实现了发射结空间电荷区电容的充电。与此同时，集电结虽然在延迟过程中始终处于反偏状态，但反偏电压的数值逐渐减小，势垒变窄，这是靠基极电流提供的另一部分空穴，从发射区传输到集电结的电子对集电结耗尽区电容充电实现的。延迟时间：t_{d}=t_{1}-t_{0}

　　上升过程：t_{1}\rightarrow t_{2}(B\rightarrow C）延迟过程结束后，基极电流保持不变，继续对发射结势垒电容充电。由于发射结偏压升高，向两侧的少子注入明显增加，基区和发射区都积累了过剩载流子，同时集电极电流也开始增加，负载电阻上的电压降增大，使集电结反偏电压数值开始减小，直到使I_{C}达到饱和值I_{CS}，V_{BC}上升到零，晶体管达到临界饱和。上升时间：t_{r}=t_{2}-t_{1}

　　储存过程：t_{3}\rightarrow t_{4}(C\rightarrow D）上升过程结束时，处于临界饱和状态。此时基极电流除补充基区复合损失外仍有多余，这部分多余的电荷引起晶体管内部电荷的进一步积累，形成超量存贮电荷。储存时间：t_{s}=t_{4}-t_{3}

　　下降过程：t_{4}\rightarrow t_{5}(C\rightarrow B）在t=t_{3}时刻，输入电压脉冲下降沿到来，此后超量储存电荷逐渐减少，发射结和集电结的偏压从饱和态的正值往下降。基极电流在发射结偏压未过零之前等于常数。通过基极向外抽出空穴，促使发射区和基区的储存电荷不断减少，同时发射结和集电结势垒电容放电。在基区由于储存电荷消失，载流子浓度梯度减小，发射结变反偏，集电极电流随之下降，一直下降到接近于反向电流值，下降过程结束。下降过程实质上是上升过程的逆过程，但是载流子复合在两种过程中的作用的不同。上升过程中复 合阻碍过剩载流子积累，延缓上升速度，下降过程中复合加速储存电荷消失，加快下降过程。下降时间：t_{f}=t_{5}-t_{4}

　　要提高开关速度，应缩短四个开关时间。但BJT的四个开关时间不能同时缩短。通常情况下储存时间最长，所以如何缩短t_{s}成为缩短开关时间的主要目标。ECL电路采用非饱和逻辑，不存在储存时间，每门平均延迟时间已可做到零点几个纳秒；TTL中现已广泛使用肖特基二极管钳位抗饱和电路，由于限制了饱和深度，也使开关速度大大提高。