第一节是CPU最基本的逻辑单MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）

　　一个原子由质子、电子和中子构成，质子带正点，中子不带电，电子带负电，质子和中子结合形成了原子核。一个中性原子质子数量和电子数量是平衡的，因此整体显示中性。如果一个原子失去一个电子，质子的数量是不变的，因为整体显示正电性；如果得到一个电子，那么整体显示负电性。

　　cu 铜最外层只有一个电子，因为只有一个电子，原子核对其束缚能力不强，因为及其容易失去这个电子，使用铜作为导线，电池产生的电压会使电子发生定向移动，因此就产生了电流，

　　半导体的导电性位于导体和绝缘体之间，其导电性可以在导通和不导通之间转换，

　　如果掺入少量磷元素，磷元素最外层只有四个价电子，因此剩下一个电子受到的束缚就很弱，

　　这种少量掺杂的硅导电性就会上升，这种增加电子的掺杂称为N型掺杂，电荷的载体也就是载

　　如果掺入少量硼元素，硼原子最外层有三个价电子，因此会有一个空穴，其他电子可以移动到

　　这个空穴中来，这种增加空穴的掺杂称为P型掺杂，电荷的载体也就是载流子是空穴。

　　N型掺杂区域有自由电子，P型区域有空穴，因此在交界区域N型中电子填充P型区域的空穴中

　　因此N型区域失去电子显示正电性，P型区域得到电子显示正电性，这样就产生了一个从正电

　　型区域到负电型区域的电场。这样P型区域的电子会在电场的作用下向N型区域移动。

　　电子在空穴的影响下向右移动，在电场左右下向左移动，这样就会产生一个平衡。

　　如果施加一个向左的电场，这样电子就会向右边移动，电子会跨过耗尽层向右移动。

　　相反，如果施加一个向右的电场，这样电子就会向左边移动，但是内建电场和电池提供的电场

　　因此，二极管电流可以由P流向N，但是不能由N流向P。也可以理解为电子可以由N到P,但是不能从P到N。记住这一点！！！

　　在一块纯硅中肩膀处进行N型掺杂，其余区域进行P型掺杂。扩散作用会在N和P交接处形成耗尽层，

　　加一个这样的电场，电子是从左到右的，上面我们推导了电子可以由N到P,但是不能从P到N，

　　如果加一个下面这样的回路，电子会向上移动，这样两个N区可以连接到一起，形成了N沟道。