的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直（GaN）功率

　　的动态电阻（ RON）和阈值电压（VTH）稳定性进行了实验表征。研究......

　　用于开关小于±250 mV的信号，则泄漏电流（25⁰C）将为超皮安。 图3示出了使用增强模式

　　开关作为模拟开关的示例。图示了SD5400-2四路DMOS开关（SD5000-2，SD-5200-2和......

　　QSPICE发明者随笔——利用宽带隙FET简化高压调节;Charley Moser拥有EE博士学位，是我最早的模拟设计导师之一。从他那里，我学到了很多知识——混合pi

　　化硅沟槽侧壁上制备的栅极具有更高的沟道迁移率，这意味着与平面器件相比，电子穿过沟槽栅极的阻碍较少。这能降低沟道电阻。其次，沟槽式金氧半场效

　　的研发项目。他于2020年加入TechInsights并成为功率半导体器件的学科专家，同时持续了解整个行业的最新发展。 ......

　　罗姆（ROHM）第4代：技术回顾;今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效

　　（）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效

　　Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计

　　（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V  作为  全新引脚兼容  系列......

　　Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

　　（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新......

　　Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能

　　Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能;全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应

　　的推动力大，线性高对高频反应又不良，是非常良好的音响用放大器材料。读者若想看到实体物品，走一......

　　供出色的功率和零干扰接收性能，同时还内置了全向天线”。甚至有一个带电线的遥控器。如今，超共源共栅另有含义。从 1939 年的管式稳压器，到早期的音频放大器，再到高电压应用中的双极

　　降低的精度，因为这取决于分流电阻。虽然现今的技术可实现高精度电流传感器，但却无法降低损耗。 东芝的新技术采用级联共源共栅，将低压金属氧化物半导体场效应

　　人员可以选择符合其系统要求的放大器架构，其输入电压、带宽和关键特性分别如下： ：27V结型栅场效应

　　）输入双运算放大器（op amp），120MHz带宽，500μV最大......

　　*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......

　　贸泽开售采用D2PAK－7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

　　Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应

　　贸泽开售采用D2PAK－7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

　　Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应

　　贸泽开售采用D2PAK－7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C／SC SiC FET

　　Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应

　　直到现在行业中还没有哪种解决方案能够全面测试其在各种工作电压下的电容性能。B1507A 将会填补这一空白，对功率器件执行完整、可靠、自动化的电容测试。” B1507A 的关键特性包括： ·易于使用，能够对高偏置电压下的

　　MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应

　　Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FET

　　中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN

　　TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨

　　CAMECA LEAP 4000X HR 目标分析器件–UnitedSiC第四代SiC

　　UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻（RDS.（ON））为18mΩ......

　　TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨

　　UnitedSiC UJ4C075018K4S的额定电压为750 V，导通电阻(RDS.(ON))为18mΩ......

　　Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

　　前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN

　　的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V......

　　TechInsights对于“碳化硅JFETs原子探针层析成像”的探讨

　　个表中还显示了每次实验测定的Si、C和Al含量。  表1：由APT确定的

　　门区成分 值得注意的是，APT重构揭示了Al在栅极区域内的极不均匀分布，这表明它与SiC中的

　　二极管的功能是为电路提供短路保护。 ▲ 图1.1 恒流二极管的符号 二、恒流二极管工作原理 恒流二极管的内部结构如下图所示。该二极管包括一个 N 沟道

　　高压SiC MOSFET研究现状与展望;碳化硅（）金属氧化物半导体场效应

　　（）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾......

　　取向。这确保了的沟道迁移率和窄的阈值电压分布。另一个特点是深 p 沟槽在中心与实际 MOS 沟槽相交，以允......

　　能会使性能受损   有些方法可以将SiC FET器件的dV/dt有效控制在从45V/ns至5V/ns的范围内，而不会导致过长的延迟时间。这三种方法是：外部栅漏电容、器件RC缓冲电路和

　　Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5．4mΩ 750V SiC FETs

　　，在 TOLL 封装中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN

　　Qorvo发布TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

　　前市场同类产品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN

　　的导通阻抗还要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 额定电压也比其它的一些替代技术高100-150V，为客......

　　;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......

　　;本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又......

　　的应用知识;是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的

　　吗？; 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。

　　技术最明显的变化就是我们能制造多少。正如这些图表所示，减小设备的尺寸是一项巨大的努力，而且非常成功。但尺......

　　基于量子干涉的单分子晶体管面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备

　　面世，可用于制造更小更快更节能的新一代电子设备;英国和加拿大科学家组成的一个国际研究团队开发出一种新型单分子

　　收音机是一种简单而有趣的技术小玩意，它改变了我们听音乐的方式。为了放大微弱的无线电信号并将其作为可听声音传输，它使用单个

　　;一、的功能 具有放大和开关电信号的功能。 比如在收音机中，会扩大（放大）空中传输过来的非常微弱的信号，并通过扬声器播放出来。这就是的放大作用。 另外，

　　?; 泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等。

　　微缩技术突破，将用于未来制程节点;在IEDM 2023上，英特尔展示了结合背面供电和直接背面触点的3D堆叠CMOS

　　GAAFET技术才准备开始，下一世代CasFET技术已在开发;外媒报导，下世代半导体先进制程技术，研究人员已在开发称为“CasFET”的制程技术，除了更低开关电压、更低功耗和更高密度设计，新型芯片在

　　：氮化镓都用上了; 2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS......

　　芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效

　　基于ST STM32G474之500W全桥相移零电压切换直流-直流转换器数位电源

　　切换式电源供应器具有体积小、重量轻、效率高的优点；一般切换式电源供应器采用传统硬式切换，功率

　　使用的散热片不仅体积变大并且使效率降低。       一般......

　　未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS

　　未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS

　　推挽式B类功率放大器的基本原理;了解B类放大器的工作原理，如何计算其效率，以及其性能与电感性负载A类设计的比较。本文引用地址：正如我们在上一篇文章中所讨论的，单

　　被输入信号的正半周期驱动导通。对于信号的另一半周期，当输入信号为负时，

　　;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率

　　;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的

　　场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能

　　;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号

　　、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业

　　等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活

　　;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型

　　;瀚博（香港）集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，

　　;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，

　　;安丘市中惠电子有限公司;;安丘市中惠电子有限公司，毗邻美丽的世界风筝都－潍坊，是国内生产半导体分离器件的专业厂家。主要生产高、低频大功率

　　;深圳市柏迪佳电子科技有限公司;;专业经销2N系列;2SA系列;2SB系列;2SC系列;2SD系列;BDBU系列;MJ系列;MJE系列;TIP系列;高反压系列