三极管是一种利用输入电流控制输出电流的器件，能够放大信号并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备。

　　三极管本身不具有功率/电压放大的功能，而是通过基极电流Ib从而控制Ic允许的最大电流大小；假如三极管放大倍数β=100，Ib=1mA，那么Ic最大可以通过100mA的电流，此时三极管处于放大状态；那么Ic必须是100mA还是可以是10mA？当然是可以的，此时三极管处于饱和状态。

　　如下图所示为典型的NPN型三极管工作状态时的载流子移动示意图，IE=IC+IB。对于发射结（B-E结）来说，其在三极管中工作状态与正常的PN结一样，如右下图所示为发射结输入特性曲线：描述三极管压降 VCE一定的情况下，基极电流 IB与发射结压降 VBE之间的函数关系。

　　我们看到一个现象：加在三极管CE两极的电压VCE越大，那么B-E结的V-I曲线越被往右推；其主要原因是：从发射区（E区）穿越过来的“自由电子”数量取决于VBE的大小，当VBE一定而VCE增加时，更多的“自由电子”被传输到集电区（C区），而留被基区（B区）截留的“自由电子”就变少了，从而需要增加VBE电压，补充更多“自由电子”，所以从B-E结的V-I曲线来看，它变得更难被打开。

　　在三极管工作原理章节的分析中，我们其实分析到了三极管在不同状态下的工作原理，涉及到了：放大状态，饱和状态，截止状态以及反向工作状态。我们在本节主要分析三极管的3种正常工作状态：放大、饱和和截止状态。

　　2. 饱和状态：发射结正偏，集电结正偏；——此时VBE0，VCE≤VBE；所以Ib 0，但Ic ≠ β*Ib；Ic随VCE的增大而急剧增加， ΔICβ*ΔIB；等效为开关导通；

　　——此时VBE＞0，VCE＞VBE；ΔIC = β*ΔIB，Ic受控于Ib，当Ib保持一定时，Ic也为恒定电流；等效为电流放大器；

　　三极管三种工作状态对应三个工作区：截止区，放大区，饱和区；除此之外还有一个工作区：击穿区；如下图所示。

　　1, 软击穿：击穿时PN结温度上升，但还未破坏PN结结构，击穿条件去除后，全部/部分功能得到恢复；

　　2, 硬击穿：PN结温度太高导致结构完全被破坏， 击穿条件去除后，功能不能恢复。

　　虽然我们在实际应用中，经常用来作为放大电压的器件，例如：低电平转高电平，信号放大电路等等；但三极管本质上是电流放大的器件，只是利用U=I*R从电流转化到电压上，它的核心方程是：ΔIc= β*ΔIB 和Ic = (/β)*IB；这是我们在讨论三极管主要参数前需要明确的。

　　1, 共发射极直流放大系数/β（hFE）：表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，/β ≈ IC/IB；

　　——一般三极管器件资料中给出的放大系数，就是直流放大系数；根据该参数来判断三极管是否处于放大状态；Ic电流达到一定程度后放大系数急剧衰减，实际应用需关注该曲线。该曲线体现了IB与IC的关系，当VCE越大那么集电区（C区）所能获得的“自由电子”电流IC比例更大；

　　2, 共发射极交流放大系数β（hfe）： 表示三极管共射极连接且VCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比， β= ΔIC/ΔIB；β过小电流放大作用小，β过大则漏电流大、稳定性较差；

　　——β与/β参数虽然含义不同，但对于放大区输出曲线较平坦部分，两者差异很小，可以相互替代使用。

　　3, 共基极直流放大系数： 表示三极管在共基极连接时，某工作点处直流IC与IE的比值：/α= (/β)/(1+/β) ；

　　1, C-B反向饱和电流ICBO：E极开路，在C极与B极加一定反向电压，对应的反向电流；

　　——ICBO是B-C结的反向电流（E开路），由于B区非常狭窄，所以ICBO比一般PN结的反向电流要大。

　　2, 穿透电流ICEO ：B开路，C极与E极之间加一定反向电压，对应的反向电流；

　　——ICBO和ICEO的关系： ICEO =（1＋/β）ICBO；ICEO是输入端（B极）开路时的漏电流，在CE两端加电压，此时B-C结反偏，B-E结正偏，处于放大状态；ICEO与ICBO的关系由理论推导出结论（参考文档最后）。ICEO为E-B-C的电流，其穿越电流越大则E-B结反向电流越大，如PN结章节所述，反向电流取决于少子浓度，随温度增加而急剧增大；所以ICEO越大说明三极管工作越不稳定，温度稳定性差，热噪声大。一般小功率三极管ICEO为几微安以下。

　　3. 频率参数：反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围； 三极管由PN结构成，在信号跳变过车中，其必然也存在反向恢复时间和工作频率的限制；1, 共射极截止频率ƒβ：三极管放大系数β是频率的函数，理想情况下中频段β= β0与频率无关，但随着频率的升高， β值线dB）时，所对应的频率；2, 共基极截止频率ƒα：随频率升高，当α下降到1/√2（3dB）时，所对应的频率；3, 特征频率ƒT：三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率；——三极管工作在ƒβ~ƒT时， β与ƒ几乎成线性关系：ƒ越高，β越小；当工作频率ƒ＞ ƒT 时，三极管失去了放大能力。

　　4. 电压力极限参数；1, 集电极最大电流ICM：集电极允许通过的最大电流；当IC大到一定程度时，电流放大系数β值将逐渐下降，使β明显减少（1/2或2/3）的IC即为ICM；2, 反向击穿电压V(BR)CEO：指基极开路时，加在集电极与发射极之间的反向击穿电压；3, 反向击穿电压V(BR)CBO：指发射极开路时，加在集电极与基极之间的反向击穿电压；4, 反向击穿电压V(BR)EBO：指集电极开路时，加在发射极与基极之间的反向击穿电压；5, 三极管反向工作电压要 1/2(或1/3)* V(BR)，避免三极管在实际应用中被损坏；6, 集电极最大允许功耗PCM： 指三极管集电结受热引起三极管参数的变化不超过规定的允许值时，集电极耗散的最大功率，PCM = IC*UCE ；当PC大于PCM时，三极管参数发生大变化，且容易被损坏。

　　1, 对β的影响： β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大；

　　2, 对反向饱和电流ICEO的影响：ICEO由少子漂移运动形成，与环境温度关系很大，ICEO随温度上升急剧增加（温度上升10℃，ICEO增加一倍）；

　　3, 对发射结电压VBE的影响： 温度上升1℃，VBE将下降2～2.5mV。