1、栅压输入阻抗高，MOS管栅极有绝缘膜氧化物，但栅极容易被静电、高压击穿，造成不可逆的损坏。

　　用于评估DS之间的耐压情况。对于大功率MOS，DS之间的耐压通常要求至千伏级别，在使用PROBE进行晶圆级测试时，通常需采用绝缘氟油保护，防止芯片表面发生空气击穿而造成破坏。

　　DS沟道关闭时的泄漏电流，MOS在非工作状态下的DS损耗，通常为uA级别。

　　DS之间的导通电阻，与MOS在开启时的传输损耗有关，RDS（on）越大，MOS的损耗越高。RDS（on）通常为mΩ级别，在使用PROBE进行晶圆测试时，在DS之间使用四线法搭载测试环境，以消除金属探针自身电阻的影响。对于大功率MOS的测试，采用高功率探针，瞬时电流能够达到百安级。

　　Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

　　Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，它可能引起电路的谐振。

　　反向传输电容等同于栅漏电容Cgd，也叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，影响关断延时时间。MOS管的电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

　　栅极电荷值反应存储在端子间电容上的电荷。开关的瞬间，栅极储存电荷随电压的变化而变化，设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。

　　在不同的VGS下，流过漏极的电流与漏源间施加电压之间的关系ID-VDS。

　　在一定的VDS下，MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系（ID-VGS）。

　　配备大功率图示仪、探针测试台，能够对封装级、晶圆级（封装前、开封后）MOS管进行电特性参数测试；同时，搭载的MOS专用测试环境源漏电压最高可达3kV（HVSMU，高压模块）、电流最高可达1.5kA（UHCU，大电流模块），栅压最大值100V，电流精度10fA、电压精度25μV。对于动态参数测试，频率范围可达1kHz~1MHz、MOS特征电容测试范围可达100fF~1μF。