MOSFET指金属氧化物半导体场效应晶体管。它是具有MOS结构的场效应晶体管。通常而言，MOSFET是一个三引脚器件，分别是栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。漏极（D）和源极（S）之间的电流传导通过施加至栅极（G）的电压进行控制。就相对较高的速度和低损耗的操作而言，MOSFET优于双极晶体管。 根据沟道极性，有P型和N型，通过控制方法有常闭（栅极电压0V截止）的增强型和常闭（栅极电压0V无效）的耗尽型。 增强类型很受欢迎。