NPN型功率晶体管，在正方形的第一高掺杂N型硅的基底上设有低掺杂N型硅集电区，集电区的中心区域设有正方形的P型硅的基区，基区的外围、与基区横向相隔一段距离，设有环形的P型硅的场限环，基区上设有第二高掺杂N型硅的发射区，所述集电区的周边设有第二高掺杂N型硅的沟道截止环，集电区、发射区和基区的上表面设有绝缘层，发射区的绝缘层上设有窄于发射区宽度的发射区接触孔，发射区的两侧的基区的绝缘层上设有基区接触孔，发射区接触孔和发射区电极连接，基区接触孔和基极电极连接，场限环上设有场板，基底的底面设有钒镍银或钒镍金合金层，合金层和集电极电极连接。本实用新型