BJT安排有两种基本类型：NPN和PNP。这些名称是指构成组件的P型（正极）和N型（负极）半导体材料。因此，所有BJT都按某种顺序包含两个PN结。NPN 设备，顾名思义，有一个 P 区域夹在两个 N 区域之间。二极管中的两个结可以是正向偏置或反向偏置的。

　　这种安排导致总共三个连接终端，每个终端都被分配一个指定其功能的名称。这些称为发射器（E），基极（B）和集电极（C）。使用NPN晶体管时，集电极连接到N部分之一，基极连接到中间的P部分，E连接到另一个N部分。P段被轻度掺杂，而发射极端的N段被重掺杂。重要的是，NPN晶体管中的两个N部分不能互换，因为它们的几何形状完全不同。将NPN设备视为花生酱三明治可能会有所帮助，但其中一片面包是末端，另一片来自中间面包，这使得排列有些不对称。

　　NPN 晶体管可能具有公共基极 （CB） 或共发射极 （CE） 配置，每种配置都有自己独特的输入和输出。在常见的发射极设置中，从基极（V是） 和收集器 （V菲尔.A 电压 VE然后离开发射极并进入NPN晶体管作为其组件的电路。“共发射极”这个名称源于这样一个事实，即晶体管的E部分与B部分集成了单独的电压，而C部分将它们作为一个公共电压发射。

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