假设V CB和I E作为自变量。更具体地说，以发射极电流I E作为参数，我们有：

　　我们期望出现一系列反向指数爬升，如图 2 所示。由此获得的曲线构成了静态输出特性。

　　静态输入特性给出了发射极电流 ( IE )的变化，作为发射极和基极之间的电压 (V EB )的函数，集电极基极电压 (V CB ) 保持恒定。我们可以写：

　　将V CB 作为参数，得到一系列曲线（即静态输入特性）。为了能够将它们绘制出来，我们考虑一下相当于 PNP 晶体管的电路。可以通过想象两个相对的 PN 结（即个 PN 结的阴极与第二个 PN 结的阳极串联）来进行模拟，如图 3 所示。

　　在共基极配置中，D in 处于正向偏置状态。因此，根据符号的明显含义，我们有：

　　因此，我们得到了图 4 中绘制的趋势，其中我们注意到存在与结型二极管完全相同的偏移电压。共基极配置中发射极和集电极的偏振态定义了不同的区域。准确地说，是J E正向偏置和J C反向偏置的有源区，以及两个结都正向偏置的饱和区。由此可见，对于集电极电流，我们有：

　　因此，集电极电流作为V CB 的函数按照指数趋势变化。，截止区域由集电极电流截止（即发射极开路时）定义。