的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。

　　NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。

　　nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为

　　之前的文章对MOS电容器进行了简单介绍，因此对MOS晶体管的理解已经打下了一定的基础，本文将对深入介绍NMOS晶体管的结构及工作原理，最后再从机理上对漏源电流的表达式进行推导说明。

　　本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。稳定电流源(BJT)目标本实验旨在研究如何利用零增益概念来产生稳定（对输入电流电平的变化较不敏感）的输出电流。材料

　　NMOS晶体管是一种电子元件，它是一种半导体晶体管，其中N指的是n型半导体材料，它具有负极性，可以用来控制电流的流动。它的主要功能是在电路中控制电流的流动，以及控制电路的输入和输出信号。

　　规范本身复杂化。有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为“开”，而NMOS晶体管为“关”。当放大器

　　我有一个源极跟随器（共漏极）配置的NMOS晶体管，但具有从输出到输入的反馈。它被用作功率级，因为负载的功率很高。如何用运算放大器代替电压源？

　　（PTAT）的电流，利用这个电流与一个工作在饱和区的二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿，实现了一个低温漂、高精度的基准电压源的设计。1NMOS