将JFET用于不寻常的电路结构中，就可以设计出无源元件很少的简单高频LC

　　式中，IDSS为最大饱和电流，VP为夹断电压。你可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅-源电压控制的电流源来构建这只在小信号状态下工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导：

　　栅极电阻RG提供栅极到地的必要连接。RG的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻RS可使晶体管偏置，其阻值由下述公式确定：

　　要完成整个振荡电路，还要在放大级增加一个 LC 谐振回路（图 2），最终形成一个考毕兹振荡器。由于 LC 谐振回路的电感，栅极与地之间存在直流连接，消除了放大器的栅极电阻。

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　　提供偏置，C1、C2、L1构成选频网络，C3为旁路电容，C4为偶合电容，CL为

　　频率的50-100倍，即不小于1.2G。偶合电容在不影响输出幅度的情况下，可以选择更小

　　频率的50-100倍，即不小于1.2G。偶合电容在不影响输出幅度的情况下，可以选择更小

　　，既需要成熟的理论指导，同时也需要具备将理论灵活运用于实际的能力，只有将两者紧密结合，才能达到事半功倍的效果，得到比较完美的正弦波形。

　　，因为低频电感很贵、很笨重、体积又很大，所以是不理想的。在超出了电压反馈运算放大器

　　，Crystal Oscillator，简写为XO。单端输出，需要供电。震荡

　　，数据的发送和接收都需要时钟作参考，数据可在时钟的上升沿采样，下降沿采样或者是上升沿和下降沿同时采样。常用输入时钟信号都由

　　石英晶振是电子产品中常用的一种元件,享有电子设备的心脏之称,大到军用设备,小到手表都有

　　有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3DA87A

　　是RFID射频前端的关键模块，低功耗和小体积是RFID的两个重要性能指标[3-4]。但目前射频

　　两个有源器件，很难满足RFID对低复杂度的要求，需要针对RFID研究新的

　　。它们用作放大器和开关设备。作为放大器，它们用于高电平和低电平、频率级、

　　(Unijunction Transistor, 简称 UJT )，***称单接合面电

　　）需要几毫安才能上电，并且可以由逻辑门输出驱动。然而，螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入

　　，一个交叉耦合的反馈网络和两个延时电容器组成，这些电容器允许两种状态之间的

　　（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？

　　，与实际原理图不同，是依据交流等效原则对原理图的一种简化，这里说一下交流等效原则：（1）旁路电容器等效为短路线）扼流电感等效为开路；（3）偏置电阻从

　　更加成熟且易于制造的硅技术，而是通常使用具有氮化镓（GaN）等特殊衬底的HEMT等复杂

　　中心频率为 24.2GHz，输出功率 6.8dBm，在频偏 100Khz 的相位噪声达-85.2dBc/Hz。

　　，性能卓越，构建成本低廉，并且不需要线圈或扼流圈。价格主要取决于所使用的