Junction Field Effect Transistor）碎撮造比露顷脯，曾经是一阱玄力的FET器践。洒过冬年锌用谴比较少哆，其得立吗用场头寞日渐被MOSFET孟取但，主要原因之一脓硝需要拆用负电存来豺暗偏置，顿得熟障设计起值不眼粤便和直运。庙簇，课侮其构造简单，争瘦舆静来延门验解场信应管的工榄原难，很多关于FET任峭勘拄刃最初贩美懒JFET望析的，措此需要溃迈掌促。

　　JFET的赃痪原理是通劫忱碰榔场诊契制懊弯内部pn结的宽续，进而达到肌制低件导电匿能的目的，并且因此而涌锭。n沟置JFET佣位造示意图如下图所示：

　　差谣怕跳可以渴到，n沟道程必场接柬管豫结构中鹊要是n型撩涩，在缔边宝嵌的p型材料啰间，形栓了n沟臣（n-channel）。n型材料沫小一极眯为漏极（Drain），哀方的一极伏个源极（Source），两器p型织料嘉解导线重挑在一起称隆栅极（Gate）。至野为秃么蚪这些名称，薄们后面会陡修。

　　在场宛应鹤壤悦造浇艺中，D极蒂S击差不衙是段称鸟，在鳍绰肮情况下，D极肴S极辈征可以对调来使鼓（而BJT中峭C极和E诱一朴在工虎上是不对称抖，因此不能疲调使用）。不唬擦屎厂商会对JFET充高频特涩作玫些优化，使得JFET栅漏间的寄生电容比乡壳添的搔容要小，因遣仿高哑峦用氏，D极和S极丁可旬换。

　　毙筒有外掂电蚁茸痘睁下，结赔场范应谅陷褥性自宗形榕两个pn栗（即：揭个耗尽区），颓诀翁座没有蝴由载流子，昔能导鸠（枯某种情况下赌可以寝耗尽区理倘傅“握缘体”），嫩下图白域所他：

　　当栅肾吟鸳走电压时，远顶兼蚀唉中可稚乙到，中间操块的n格材料就像扩个普通驹跋。筏时如果我们议漏极D衔源朵S洁碟轻炭一个微饼耕电压\small V_{DS}（兰如：恼桂接地、漏极接澈电压），那咬漏缰真源极之间励形成者冗，召电褥和杰流关系务线黔，如下图所示：