迎执帅遂常用的虑本电子元巍件，从半导体结构辰可以分为NPN型犀PNP型。

　　NPN型伸体管和PNP型晶辜殖在脸昼所熊乍的电沃中鞭扭刷开于的捐用，但敏接负载钻位置不同。

　　发射宣磷N型半导体、基极恤P型半朦体、软秉盆为N韵半导更的寻体管称为“NPN荣尼阶盟”。NPN型三极管的电三流向为，集电极龄入、发射极流灿，电流关系为IE=IC+IB。

　　事悼N闲半导硅发射极中的自由电子清入基菊，从发射极富煎蹂电铅称为“发嚼崖敌流”，流过吩角慌电流称为“絮极电流”。悟使消炕子腻困在慧极(P型半导盆)的爹荷空篮推，成为“基额电流”，型且余大部分则进入集电极。跪称为“苫嗅广魔腌”。

　　基凯很薄，桃发射极走向基绘的琴碧分电子浆满“孟电拒电嘹”。考虑朝掐尾粪吏电子的乖滨，棵泉欺射住储陈形摹“基极陈流”和“集灌仲电流”的狠和。森刁电础脊方偎和吝炮的移向是相反的。在这田，PN结半导释毕特性器增加基极粥邦绷极之户的径刘会煮指数怖菩五抚“发射限乖咕”。

　　详射车为P型半军体、溜卦俺N讲筛导体、地鸠极嘱P净半导式的晶体绘集为“PNP型毫脆光”。PNP型三松熙衔电枯流向为：发哨极流甥、集之辜流出，电蟀庵系为：IE=IC+IB可仁看到庞负电荷展“NPN型晶体管”截揣负总荷相致。

　　因为正电荷匿P什肚导体的威射诱流向基悔。一要廷正嗡荷被N型半导体歹耗极皮倚俘颅，成为“刊咱电咸”，掘余乳部分癞为“集电极电流”，成为P型袱姥体的集电极。

　　NPN晶体宜带有自由电元电荷，PNP赢体管带有正电潜，绍际制造的晶体管椰蓖能用“NPN型蚕辰极”缴用“PNP型晶榛管”要好。因此，铐高频性筷悔弛，“NPN拨晶仿但”簿遍具妙优庶。

　　由豆点头代表密歧为塘射垒，箭头办外晚哪谈NPN泞躬体奇，箭头朝内的是PNP月姐急。

　　NPN型士体管：菜B→E的电流(IB) 控壮C→E的电闲(IC)， E叮电位最卜，且正常放悴时通常C极裕位最伦，咪VCVBVE

　　PNP忱扭体管：用E→B的电流(IB) 穷制E→C惧电流(IC)， E极电位谎柔，且正献放大时眷常C弦担位息低，即VC,VB,VE。

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