IGBT单管为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。从应用来看，IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分部式光伏逆变器、小功率变频器，制造工艺为环氧注塑工艺。

　　IGBT单管及模块市场集中度高，市场份额被头部企业垄断，市占率排名前五的分别为英飞凌、安森美、富士、力特和意法半导体，占据了全球约70%的市场份额；英飞凌是行业绝对龙头、国内企业主要是士兰微。

　　我国“十四五”规划将半导体和集成电路列为“事关国家安全和发展全局的基础核心领域”，集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发以及集成电路先进工艺、IGBT和MEMS等特色工艺突破都被予以重点关注。政策的强力支持将持续推动中国半导体产业的技术升级，推动一批有实力的国产厂商打破国际巨头的技术垄断，逐步推动半导体全产业链国产替代的进程。

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