全球先进制程竞赛脚步未歇，供应链消息指出，芯片代工龙头台积电下一时代的2纳米布局持续进行中，新竹宝山厂规划于2024年第二季展开进机，2025年第四季进入量产，初期月产能约达3万片；而高雄厂也正在着手进行组织编制，预计在N2登场隔一年后量产N2P（2纳米加强版）制程，并采用背面供电技术。

　　根据台积电先前说明会上透露，公司在N2发展出背面电轨（backside power rail）解决方案，该设计最适于HPC相关应用。在基线技术之上，背面电轨将使速度提升10%至12%，逻辑密度提升10%至15%。目标是在2025年下半年向客户推出背面电轨，并于2026年量产，与供应链传言不谋而合。

　　过去，英特尔（Intel）率先从平面结构晶体管转向FinFET（鳍式场效晶体管），随着制程技术逐步迈向GAAFET架构的MBCFET、BSPDN（背面供电），包括台积电、三星、英特尔都在积极竞争GAA新时代的领导者位置，更提出相当正向且积极的技术发展蓝图。

　　根据三星半导体规划，2025年将大规模量产2纳米，1.4纳米则预定2027年量产；Intel采用Gate All Around（GAA）技术RibbonFET晶体管架构的20A预计2024年上半年进入预备量产，而18A则会在2025年量产。法人表示，台积电的技术层次、稳定量产能力、良率均技高一筹，加上英伟达等大厂力挺，料将稳固其霸主地位不变。