MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常见的电子器件，广泛应用于各种电子设备中。MOSFET是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型back gate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

　　MOS管的工作原理是通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

　　MOS管分为增强型和耗尽型两种类型，其中增强型MOS管又分为N沟道和P沟道，耗尽型MOS管也分为N沟道和P沟道。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见上图。其中：电极 D（Drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极； 电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极； 电极 S（Source）称为源极，相当于发射极。

　　N沟道增强型MOSFET场效应管是一种在P型硅衬底上制作的电子器件，其结构包括两个高掺杂浓度的N+区、一个金属铝引出的漏极、一个金属铝引出的栅极和一个金属铝引出的源极。其栅极与其它电极间是绝缘的，源极与衬底通常是接在一起的。它的栅极与其它电极间是绝缘的。

　　MOSFET的基本结构和工作原理是通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。