某些功率器件（MOSFET、IGBT和双极晶体管）未规定Rth（ch-a）和Rth（j-a）。这是为什么？

　　对于采用小封装的小信号器件，为何原因未规定结到外壳（或通道到外壳）的热阻？

　　MOSFET的电气特性（静态特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）

　　MOSFET的电气特性（电荷特性Qg／Qgs1／Qgd／QSW／QOSS）

　　安全工作区内的虚线标注为“此区域受RDS(ON)限制。”这是什么意思？

　　为什么东芝的功率MOSFET所具有的栅极-源极漏电流（IGSS）比其它公司的大？

　　偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少？（内置电阻的允许功耗是多少瓦？）

　　关于如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极电流和输入电压的基本思路

　　当偏置电阻内置晶体管（BRT）导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）

　　双极晶体管的数据表和其它文档包含安全工作区（SOA）图表。什么是安全工作区（SOA）？

　　如果向双极结型晶体管（BJT）基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的反向电压，会发生什么情况？