JFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极,两个PN结之间有导电沟道,通过改变外加PN界的反向偏置电压,以改变PN结耗尽层的厚度,从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的,因此,这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管,即PNJFET(PNJunctionFET),通常也称JFET。目录什么是JFET结型场效应晶体管FET的特点工作原理流iD的作用输出特性曲线几个图区转移特性曲线编辑本段什么是JFET 一种单极的三层晶体管,它是一种控制极是由pn组成的场效应晶体管,工作依赖于惟一种载流子-电子或空穴的运动。对于一个正常接通”器件,每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时,或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时,都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流受栅极电压的控制,为了“夹断”电流的流动,在N沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是负的;或者在P沟道JFET中栅极相对源极的电压必须是正的。栅极电压被加在横跨PN结的沟道上,与此相反,在MOSFET中则是加在绝缘体上。编辑本段结型场效应晶体管利用场效应原理工作的晶体管,简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同,它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运,少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极晶体管。1925~。,在实验中观察到“场效应”现象,但当时由于工艺水平所限,没有做成实用器件。1952年以后,(JFET)的基本理论。一年以后制成JFET。60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。(MESFET)。编辑本段FET的特点与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高,噪声小,极限频率高,功耗小,温度性能好,抗辐照能力强,多功能,制造工艺简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短,故开关速度快,工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律,故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。结型场效应晶体管工作原理:编辑本段工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,现以N沟道结型场效应管为例,分析其工作原理。左右)。在漏-源极间加一正电压(vDS0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD。iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响。因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对漏极电W N沟道结型场效应管工作时,也需要外加如图1所示的偏置电压,即在栅-源极间加一负电压(vGS0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108编辑本段流iD的作用流iD(或沟道电阻)的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响。 。为便于讨论,先假设漏-源极间所加的电压vDS=0。当栅-源电压vGS=0时,沟道较宽,其电阻较小,如图2(a)所示。当vGS0,且其大小增加时,在这个反偏电压的作用下,两个P+N结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区,因此,随着vGS的增加,耗尽层将主要向N沟道中扩展,使沟道变窄,沟道电阻增大,如图2(b)所示。当vGS进一步增大到一定值VP时,两侧的耗尽层将在沟道中央合拢,沟道全部被夹断,如图2(c)所示。由于耗尽层中没有载流子,因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大,即使加上一定的电压vDS,漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压称为夹断电压,用VP表示。(c)vGS≤VP (a)vGS=0的情况(b)VPvGS0的情况由于结型场效应管的栅极输入电流iG0,因此很少应用输入特性,常用的特性曲线有输出特性曲线和转移特性曲线。编辑本段输出特性曲线输出特性曲线用来描述vGS取一定值时,电流iD和电压vDS间的关系,即。它反映了漏极电压vDS对iD的影响。图XX_01是一个N沟道结型场效应管的输出特性曲线。由此图可见,结型场效应管的工作状态可划分为四个区域。编辑本段几个图区 XX_01(1)可变电阻区图可变电阻区位于输出特性曲线