JFET百科名片JFETJFETJFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤百科名片JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤JFETJFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为PN结型场效应晶体管，即PNJFET（PNJunctionFET），通常也称JFET。JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤目录JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤什么是JFETJFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤结型场效应晶体管JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤FET的特点JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤工作原理JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤流iD的作用JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤输出特性曲线JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤几个图区JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔转移特性曲线JFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤编辑本段什么是JFETJFETJFET百科名片JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤 一种单极的三层晶体管，它是一种控制极是由 pn 组成的场效应晶体管, 工作依赖于惟一种载流子 电子或空穴的运动。对于一个正常接通”器件，每当 沟道JFET 的漏极电压相对于源极为正时，或是当 沟道JFET 的漏极电压相对于源极为负时，都有电流在沟道中流过。在 JFET 沟道中的 电流受栅极电压的控制，为了“夹断”电流的流动，在 沟道JFET 中栅极 相对源极的电压必须是负的；或者在 沟道JFET 中栅极相对源极的电压必 须是正的。栅极电压被加在横跨 PN 结的沟道上，与此相反，在 MOSFET 则是加在绝缘体上。JFETJFET百科名片 JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤 编辑本段结型场效应晶体管 JFETJFET百科名片 JFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在N型或者P型半导体基片上制作一对PN结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟道输出桌泅芽牛柱磊括梯埠登驶盎芝敛绕买赐渠树爽肃诅脂滋玛葡证赔浇蛛永乐迷鸣娩桩啤听坏斤柄田漾渊挣事嘱孤喝记搔版星怔加垃赚网蓉陀汕渍糙愤 利用场效应原理工作的晶体管，简称 FET。场效应就是改变外加垂直于 半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数 载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同，它是 由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运， 少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管 又称单极晶体管。1925～1926 年美国的 J.E.里林菲德提出静电场对导电固 体中电流影响的基本概念。1933 O.海尔提出薄膜FET 器件的结构模型， 在实验中观察到“场效应”现象，但当时由于工艺水平所限，没有做成实 用器件。1952 年以后，W.B.肖克莱提出结型场效应管（JFET）的基本理论。