在正常工作条件下,栅电压V生的电场控制着源漏间沟道区内载流子的运动。由于器件的电流由器件内部的电场控制

　　假定漏端电压Vds为正,当栅上施加一个小于开启电压的正栅压时,栅氧下面的P型表面区的空穴被耗尽,在硅表面形成一层负电荷,这些电荷被称为耗尽层电荷Qb。这时的漏源电流为泄漏电流。

　　如果VgsVth,在P型硅表面形成可移动的负电荷Qi层,即导电沟道。由于表面为N型的导电沟道与P型衬底的导电类型相反,因此该表面导电沟道被称为反型层。