。晶体管可以独立封装，也可以在很小的区域内封装，可容纳1亿个或更多晶体管

　　严格来说，晶体管是指以半导体材料为基础的所有单体元件，包括由各种半导体材料制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。三极管多指晶体三极管。

　　三极管有三极：双极型三极管的三极分别由N型和P型组成：发射极、基极和集电极；场效应晶体管的三个极点是：Source、Gate、Drain。

　　由于三极管的三种极性，也有三种使用方式：发射极接地（也称为共发射放大器/CE配置）、基极接地（也称为共基极放大器/CB配置）和集电极接地（也称为公共集放大器/CC 配置/发射极耦合器）。

　　1947 年 12 月，由 Belle Labs、Shockley、Barding 和 Bratton 组成的团队开发了一种点接触锗晶体管，它的问世是 20 世纪的一项重大发明，也是微电子革命的先驱。随着晶体管的出现，人们可以用体积小、功耗低的电子器件来代替体积大、功耗大的电子管。晶体管的发明为集成电路的诞生吹响了号角。

　　1910 年代初期，通信系统开始使用半导体。1910 年代初期，通信系统开始使用半导体。20世纪上半叶，矿石收音机在收音机爱好者中广为流行。它们用于通过使用这种半导体进行检测。半导体的电气特性也已应用于电线月，贝尔实验室有了重大发现——硅PN结。1942年，由Lark Horovitz领导的普渡大学研究小组的一个名叫Seymour Benzer的学生发现，锗单晶具有其他半导体所不具备的优良整流特性。这两项发现满足了美国政府的要求，为后来的晶体管发明奠定了基础。

　　1945年，肖克利等科学家发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先行者。为此，肖克利为贝尔提交了第一个晶体管的专利申请。最终，他获得了第一项晶体管专利的授权。

　　1952年，肖克利在1952年双极型晶体管的基础上进一步提出了单极结型晶体管的概念，今天称为结型晶体管。其结构类似于PNP或NPN双极晶体管，但在PN材料的界面处有一个耗尽层，在栅极和源漏导电沟道之间形成整流接触。同时，两端的半导体作为栅极。源极和漏极之间的

　　2.5 集成电路1954年硅晶体管发明后，晶体管的巨大应用前景越来越明显。科学家的下一个目标是进一步有效地连接晶体管、电线 场效应晶体管（FET）和MOS晶体管

　　功能，外加内存。它是世界上第一个微处理器----4004（1971）。4004的诞生，标志着一个时代的开始。从此，英特尔在微处理器研究领域变得一发不可收拾，占据主导地位。

　　1989 年，英特尔推出了 80486 处理器。1993年，英特尔开发了新一代处理器。1995 年，英特尔发布了 Pen

　　巨型晶体管 (GTR)GTR 是一种高电压、高电流的双极结型晶体管(BJT)，因此有时也称为功率 BJT。

　　光电器件。光在此类器件的有源区被吸收，产生光生载流子，这些载流子通过内部电放大机制并产生光电流增益。光电三极管工作在三端，易于实现电子控制或电气同步。

　　音频电路中常用的一种晶体管。双极是由两种半导体材料中的电流流动引起的。双极型晶体管按工作电压的极性可分为NPN型或PNP型。

　　为了保证这一运输过程，一方面要满足内部条件。这意味着发射区的杂质浓度应远大于基区的杂质浓度，基区的厚度应非常小。另一方面，要满足外部条件。这意味着发射结应该是正偏压（加上正电压），而集电结应该是反偏压。BJT的种类很多，按频率分有高频管和低频管；按功率分有小、中、大功率管；按半导体材料分有硅管、锗管等。放大电路由共发射极、共基极和共集电极组成。

　　场效应管单电子晶体管单电子晶体管是一种可以用一个或少量电子记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存取存储器（DRAM

　　三极管的主要参数包括电流放大系数、耗散功率、特征频率、最大集电极电流、最大反向电压、反向电流等。

　　4.晶体管的两种主要类型是什么？晶体管基本上分为两种类型；它们是双极结型晶体管 (BJT) 和场效应晶体管 (FET)。BJT 又分为 NPN 和 PNP 晶体管。

　　有两种类型的晶体管，它们在电路中的使用方式略有不同。双极晶体管具有标记为基极、集电极和发射极的端子。

　　在 NPN 晶体管中，向集电极端子提供正电压以产生从集电极到发射极的电流。在 PNP 晶体管中，向发射极端子提供正电压以产生从发射极到集电极的电流。

　　晶体管的输出特性是通过检查属于不同基极电流的集电极电流的集电极-发射极之间的电压变化来确定的。按移动设备上的“输出特性”按钮开始实验。

　　是2瓦放大器，最大集电极-发射极电流为1.5安培，最大集电极-发射极电压为25伏。基本

　　放大电路的( )电阻。 BA.基极B.集电极C.限流D.降压2.集成运放通常有( )部分

　　TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等

　　输出电压 : VO (GND‐OUT间电压)输出电流 : IOMOSFET漏极源极间电压 : VDS漏极电流

　　统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极

　　一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源

　　／FET开关电路、模拟开关电路、开关电源、振荡电路等。上册则主要介绍放大电路的工作、增强输出的电路、功率放大器的设计与制作、拓宽频率

　　发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型

　　的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？

　　电路设计（下）FET_功率MOS_开关电路的实验解析.rar.zip47.2 MB

　　2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基极偏置电压 2．1．3 基极-发射极间电压为0．6V 2．1．4 两

　　是交流参数。 （2） 4个h参数都是在Q点的偏导数，因此，它们都和Q点密切相关，随着Q点的变化而变化； （3） h参数是

　　基极开路时，集电极、发射极间的反向电流，也称穿透电流。ICEO越小越好，现在应用较多的硅

　　。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主

　　的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速

　　作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从

　　的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速

　　之间）和发射结（B、E极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，

　　的三种工作状态 [/td][/td][td=1,2,76][/td][td]U C U B U EU C U B

　　TR的情况，除此之外，还有5V以下(突破此耐压范围，会发生hFE低下等

　　内部输入/输出匹配网络PG＝7.2 dB，在5 W（峰值）/ 1400 MHzOMNIORD金属化

　　，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点

　　，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。

　　，不同之处在于，对于第一个教程“公共基极”、“共发射极”和“公共集电极”中讨论的三种可能配置中的任何一种，电流和电压方向的极性（或偏置）都是相反的。由于PNP

　　（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能

　　来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教

　　（BJT）。BJT由可以放大电流的掺杂材料制成。它具有PNP和NPN配置选项。PNP 和 NPN

　　年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一概念申请了专利。达林顿

　　的通道（鳍片）是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”，FinFET表现出一种称为宽度量化的

　　等。作者：铃木雅臣，任职于Accuphase公司，主要从事数字视听设备设计工作。生于日本东京。著有《新·低频/高频电路设计入门》、《

　　好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构

　　好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构

　　的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。

　　、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。（一）电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示

　　基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下：加速电路一在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf

　　电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？

　　根据环境温度、VBE、hFE、R1、R2变化。hFE的温度变化率约为0.5％/ºCVBE的温度系数约为－2mV/ºC(-1.8

　　的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字

　　的通道通过硬开关关闭。由于峰值励磁电流Ilm_pk，存在电流和电压交交叉开关损耗。该损耗取决于

　　的并联配置技术已经十分成熟，但对于GaN器件并联技术研究还鲜有涉及。考虑到GaN器件驱动的特殊性以

　　受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率

　　的最好的部分，高输入阻抗和高开关速度的 MOSFET 与低饱和电压的双极性

　　本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑 請問各大大有無 Multisim 14 基本