这个非常简单的电压表电路在电桥电路中使用了一个50M电表，对于非临界应用，给电路很有用。

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　　（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。

　　电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。

　　(Field Effect Transistor，简称FET)是一种半导体器件，它是一种基于电

　　具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了

　　来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极

　　是一种可靠且有用的电子元件，可以很容易地用于从放大器到开关电路的各种电子电路中。

　　放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和

　　功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.4

　　半导体材料组成，栅极由相反的半导体类型制成。N 沟道掺杂有施主杂质，其中通过沟道的电流以电子的形式为负。P 沟道掺杂受主杂质，其中电流以空穴的形式流动

　　栅极（G）与源极（S）和漏极（D）构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过

　　半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极

　　一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为

　　，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor

　　（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。

　　。利用准平面拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同的霍尔电势分布与磁灵敏度

　　区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子