[电子信息]:JFET管原理MOS管仅仅是场效应管中的一种。另一种就是结型场效应管或JFET。这种器件把包围反向结的耗尽区作为gatedielectric。-channelJFET的截面图。这种器件里有一块称作body的轻掺杂N-型硅,在这块硅里有两个相对的P型扩散区。两个结之间的薄的N型硅就是JFET的channel。两个扩散区就是GATE和BACKGATE,body的相对的两个端就是source和drain。-channelJFET晶体管工作在线性区(A)和在饱和区(B)的截面图。图中,S=Source,D=Drain,G=Gate,BG=Backgate。假设N-channelJFET的4个引线端都接地。GATE-BODY结和BACKGATE-BODY结周围会形成耗尽区。这些耗尽区会扩展到轻掺杂的channel,但他们之间不会互相接触。因此从drain到source之间存在一个channel。如果drain电压超过source电压,从drain到source就会形成电流流过channel。电流的大小和channel的电阻有关,而电阻又和它的尺寸和掺杂有关。只要drain对source电压还是很小,它就不会明显的使耗尽区越过channel。Channel的电阻保持常数,drain对source电压和drain电流成线性关系。在这些条件下,JFET被认为是在线性区。这个区就相对于MOS管的线性(或triode)区。由于在VGS=0时,channel就已形成,所以JFET更像耗尽型MOSFET管而不是增强型的。JFETDrain端的耗尽区随着drain电压的增加而加宽。Channel被对立的耗尽区侵入而越来越窄。最终两个耗尽区互相接触且pinchoffchannel()。即使channel被pinchoff了,还是有drain电流流过晶体管。这个电流起源于source端,由多数载流子(电子)组成。这些载流子顺着channel运动直到遇到pinched-off区。穿过这个区的大的横向电场帮助这些载流子进入neutraldrain。一旦channelpinchedoff后,即使drain电压继续上升也没多少作用了。Pinched-off区会稍微加宽,但channel的尺寸仍旧保持原样。Channel的电阻决定了drain电流的大小,所以它也几乎保持常数。在这些条件下,JFET被认为是处于饱和。Gate和backgate端也会影响流过channel的电流。随着gate-body和backgate-body电压的上升,gate-body和backgate-body结上的反向偏置电压也慢慢上升。包围这些结的耗尽区也加宽,channel被压缩。越来越小的电流能流过压缩后的channel,用来pinchoffchannel的drain对source电压也降低了。随着gate和backgate电压继续上升,最终在VDS=0时channel就pinchoff了。一旦这个情况发生,不管drain对source电压多高都没有电流能流过晶体管,晶体管被认为处于截止区。-channelJFET的I-V特性曲线。每条曲线都有一个不同的gate对source电压VGS。当VGS=0时,dra