在本文中，我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。

　　的大多数载流子传输。与双极晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、限频高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大器、数字电路和微波电路等。基于硅的金属

　　本文档的主要内容详细介绍的是HU2301P场效晶体管MOSFET的数据手册

　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管

　　IGBT 是一种功率开关晶体管，它结合了 mosfet 和 bjt 的优点，用于电源和电机控制电路绝缘栅极双极性晶体管也简称为 IGBT，是传统

　　本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分

　　电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【

　　电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【

　　SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC

　　本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处