器件，图1是N沟导MOS管芯结构原理图，即在P型硅基片上有两个 N+扩散区，其中一个称源，用S表示，另一个称漏，用D表示，在D和S间的硅片上覆盖了较薄的8iO。绝缘层和金属层，并引出一电极，称栅，用G表示。应用中 D接正，8接地，G用正

　　当MO8管接上电源后，若Va=0，则8和D被原有硅P型层隔开，MOS管电流I09=0，管子不导通。当Va>

　　0时，根据半导体物理原理知道，在P型层与802的界面处会感生出相反的电荷层即电子电荷层，通常又称反型层，成了N导电沟导，使8与D相通，形成电流,Ios0。当Vaa 一定时，加大Vp,Ips先是线性增加，然后缓慢达到饱和。不同的Va对应着不同的曲线，即有不同的线所示。

　　MOS场效应晶体管作为开关运用时，接通时管子工作在饱和区，为了获得所需要的Ips，必须有足够大的Va值(要大于MOB管的)才行，作为功率开关输出尤其需注意这一.点。IDs与Va、Vr关·系为

　　(1)式中 K为常数;Vs为阈值电压，对增强型 MOB 管，V->

　　0。由图3所示，K即为曲线的斜率。

　　由上述分析可知，MOS管导电状态依赖于Va电压而定，然而栅与硅基片又是绝缘的，故实际上MOS管的导电状态依赖于控制栅区电场大小而定，这与普通晶体管由基极电流来控制截然不同，这是两者重要区别之一。

　　以上是以P型硅基片构成N沟导MOS管的简单原理。同样，如以型硅基片构成的 MOS管就应是P沟导，且应用中这种MO8管的VD为负，S接地,而Vo用负电压控制。

　　早期的MOS管功率都较小，且电压也不高，压降也较大，这是由于器件是平面型结构所致。近年来，随着半导体技术的发展和生产的迫切需要，出现了一种采用垂直结构的隐栅型MOS器件，通常用VDMOS 符号表示。这种器件可有较小的导通压降，较高的耐压及较大的导通电流。由于其功率较大，所以常又称为功率MOSFET器件或POWEB MOSFET 器件。

　　声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

　　放大电路也有三种组态：共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路，其特点分别和

　　（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的简称，有时候我们也会简写成

　　是一种改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，属于电压控制性半导体器件，具有输入电阻高，噪声小，功耗低，没有

　　的K值得问题：在研究学习杨建国老师的负反馈和运算放大器基础这本书的时候，发现有一道题的一个参数不知道什么意思，请大咖们帮忙解惑...Page65 ： K=0.0502A/V*V 这个参数是什么意思呢？多谢！~

　　中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体

　　的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图1-6-A所示是N沟道

　　管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道

　　具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了

　　具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成等优点，所以在开关电路中迅速走红， 可是一提起

　　管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道

　　）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽

　　应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压（或开启电压）、击穿电压待参数。大功率

　　是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型

　　如何搞定恒流电源电路设计.doc第15章_基本放大电路.ppt基于较大功率的直流电机H桥驱动电路方案.doc详细讲解MOSFET

　　，能帮忙指出在哪可以找到吗？谢谢！实在是太菜鸟了，请见谅。能建立下图这种电路就行。

　　MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金属-氧化物-半导体

　　的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多

　　的参数有很多，其中包括直流参数、交流参数和极限参数等，但普通运用时只需关注

　　`随着便携式电子产品的兴盛，人们的生活发生看翻天覆地的变化，然而这一切都与电子元器件行业的两位领军人物有着不可分割的关系，那就是三极

　　的通道（鳍片）是垂直的。该设备需要牢记特定尺寸。唤起马克斯·普朗克的“量子”，FinFET表现出一种称为宽度量化的

　　的一种电源芯片，从而实现DC/AC、DC/DC电压变换，以及输出电压可调和自动稳压。作为在开关电源芯片中起稳压作用的

　　选择的重要性随着电子产品更新换代的速度，我们对电子产品性能的要求也越来越高，在一些电子产品的电路设计与研发中，不光是开关电源电路中，还有在便携式电子产品的电路中都会用到

　　`在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿

　　（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿

　　（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。

　　随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——

　　（MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体），FET（FieldEffectTransistor

　　一、什么是FET FET是Field Effect Transistor的缩写，称为

　　根据其结构的不同分类，体管（金属氧化物半导体型）两大类。可分为以下5种。可分为结型

　　来控制输出电路电流的半导体器件，并以此命名。因为它只依靠半导体中的多数载流子来导电，所以又称为单极

　　），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。

　　具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点，这就决定了

　　电参数指标中规定的电参数一般分为三大类：直流参数、交流参数和极限参数。

　　（Field Effect Transistor，简称FET）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。它的主要特点是具有输入电阻高、噪声低、功耗低等优点。

　　，即在栅极和源极之间施加一个控制电压，使得沟道区域的载流子发生漂移，从而改变电流的导通状态。

　　（Field Effect Transistor，FET）是一种基于电场控制的电子器件，常用于放大、开关和调制等电子电路中。在FET中，栅极电流是其关键