金融界2023年12月5日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“晶体管及其形成方法“，授权公告号CN108231588B，申请日期为2017年10月。

　　专利摘要显示，一种方法包括形成伪栅极堆叠件，形成介电层，其中伪栅极堆叠件位于介电层中，去除伪栅极堆叠件以在介电层中形成开口，形成延伸到开口中的金属层，并且回蚀刻金属层。金属层的位于开口中的剩余部分的边缘低于介电层的顶面。在开口中选择性地沉积导电层。导电层位于金属层上方，并且金属层和导电层组合形成替换栅极。本发明的实施例还涉及晶体管及其形成方法。