JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与

　　垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除

　　SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构

　　本文章主要讲述五种主流器件：BJT,SCR,JFET,MOSFET,IGBT的器件工作原理，为阻态，开通，通态以及关断其器 件内部的原理，从而更好的了解器件工作，更好的区分各器件更加适合应用在何项目中。

　　在当今的电力电子市场上，与其他电子领域一样，降低成本是保持竞争力的必要条件。新一代高压功率MOSFET提供了与上一代器件相同的芯片面积的通电电阻（RDS（on））。也正在使用这项技术生产更小的芯片MOSFET，其RD

　　本文介绍了结型场效应管，讲解了JFET的结构和工作原理、 JFET的特性曲线及参数和J

　　这款有用的晶体管测试仪允许用户快速检查 NPN/PNP 晶体管、JFET 或 （V）MOSFET 的功能，并适当地确定其端子或引脚的方向。

　　场效应晶体管主要分为结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。从导电载流子的带电极性来看，分为N沟道(电子型)和P沟道(空穴型)，按照导电沟道形成机理的不同，又分为增强型(简称E型)和耗

　　SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽

　　放大的电子电路中。 他们使用电场来控制通道的电导率。 FET分为JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。 两者都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似，但是它们的

　　康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型

　　上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的

　　从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-