用万用表来判断JFET极性相对来说比较简单，因为只有一个PN结要测：要么在栅极和源极之间测量，要么在栅极和漏极之间测量。

　　JFET的栅极对应晶体管的基极，源极对应晶体管的发射极，漏极对应晶体管的集电极。

　　将万用表设置为“R×1k”，用两根表笔测量 每两个引脚之间的正反向电阻。当两个引脚的正反向电阻均为几千欧时，这两个引脚为漏极和源极（可互换），其余引脚为栅极。

　　将万用表的黑色表笔接到jfet的一个电极上，红色表笔分别接到另外两个电极上。如果两次测得的电阻值都很大，说明是反向电阻。所以它是一个N沟道场效应晶体管，黑色引线连接到栅极。

　　制造工艺决定了场效应管的源漏是对称的，可以互换使用 ，不影响电路的正常工作，所以不需要区分。源极和漏极之间的电阻约为几千欧姆。

　　将万用表设置为“R×100”，红色表笔接源极，黑色表笔接漏极，相当于给场效应管加了1.5V的电源电压。此时，指针指示漏极和源极之间的电阻值。

　　然后用手指捏住栅极，将人体感应电压作为输入信号加到栅极上。由放大作用，UDS和 ID 都会发生变化，这意味着漏极和源极之间的电阻也发生了变化，表笔摆动幅度很大。如果捏栅极时摆幅很小，说明晶体管的放大能力弱；如果引线不动，则表明晶体管已损坏。

　　由于人体感应到的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时工作点可能不同，用手捏闸门时手可能会左右摆动。当结型场效应管的 RDS 减小时，表笔向右摆动，如果 RDS 增加，表笔向左摆动。

　　这种方法也适用于测量MOS晶体管。为了保护MOS场效应管，需要握住绝缘手柄，用金属棒连接栅极，防止人体感应电荷直接加到栅极上，损坏晶体管。

　　每次测量MOS管后，GS结电容上会有少量电荷，电压UGS就会建立起来。然后，如果继续测试，表笔可能不动，将GS极之间的电路短路即可解决问题。