场效应晶体管主要分为结型场效应管(JFET)和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。从导电载流子的带电极性来看，分为N沟道(电子型)和P沟道(空穴型)，按照导电沟道形成机理的不同，又分为增强型(简称E型)和耗尽型(简称D型)两种。元件符号如下：

　　上图为结型场效应管(JFET)，(a)为N沟道JFET，(b)为P沟道JFET，大家记住箭头指向内部就为N型，向外为P沟道型。简单说一下，箭头的方向表示栅极pn结正偏时的电流方向，JFET只有耗尽型。

　　转移特性表明了输出电流ID 与输入电压VGS ，漏极电流的方向表示为从漏极流向源极，注意各值的符号与方向。

　　增强型N沟道MOS管的转移特性曲线如下图，为了形成N沟道必须保持VGS 为正。VT (or VGS(Th) )称为开启电压 ，当 VGS 增加时,

　　增强型P沟道MOS管的转移特性曲线如下图， 除了电压的极性与电流的方向相反外，P沟道增强型MOS管与N沟道MOS管是相同的：

　　这里的k为电导常数，可通过数据手册查找，也有计算方法，可在下方视频观看哦。

　　在FET的考题中，主要也是通过直流分析和交流分析，交流分析通常运用小信号模型分析法来解题，方法依旧很简单，可以与上一堂课中BJT的分析作类比。文字里就不赘述啦。