MOS管是无刷电机控制器中最常见到的晶体管，其全称为MOSFET晶体管，是一种半导体器件。今天就和大家介绍一下

　　无刷电机控制器中的MOS管是什么？MOS管全称MOSFET晶体管（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种半导体器件，广泛用于切换和放大电子器件中的电子信号。MOSFET晶体管是集成电路的核心，由于尺寸非常小，因此可以在单个芯片中进行设计和制造。MOSFET晶体管是具有源极（S），栅极（G），漏极（D）和主体（B）端子的四端子器件。MOSFET晶体管的主体经常连接到源极端子，因此使其成为像场效应晶体管那样的三端器件。MOSFET晶体管是最常见的晶体管，可用于模拟和数字电路。

　　MOSFET晶体管通过电子方式改变电荷载流子沿其流动的通道宽度（电子或空穴）。电荷载流子在源极进入通道并通过漏极离开。通道的宽度由电极上的电压控制，称为栅极，位于源极和漏极之间。它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。器件中的MOS容量是主要部分。

　　MOS管工作模式：耗尽模式当栅极上没有电压时，通道显示其最大电导。由于栅极上的电压为正或负，沟道电导率降低。

　　增强模式：当栅极上没有电压时，器件不导通。栅极上的电压越多，器件的导通性越好。

　　MOSFET晶体管的工作原理：MOSFET晶体管的目标是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。它几乎可以作为一个开关。MOSFET晶体管的工作取决于MOS电容器。MOS电容是MOSFET晶体管的主要部分。位于下方氧化层的半导体表面位于源极和漏极端子之间。通过分别施加正或负栅极电压，它可以从p型反转为n型。当我们施加正栅极电压时，存在于氧化物层下方的具有排斥力的孔和孔被向下推动。耗尽区域由与受体原子相关的束缚负电荷组成。形成电子到达通道。正电压还吸引电子从n +源极和漏极区域进入沟道。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，则电流在源极和漏极之间自由流动，栅极电压控制沟道中的电子。如果我们施加负电压，则代替正电压，将在氧化物层下方形成空穴沟道。