器件：沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）；

　　公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日，公司拥有97项专利，其中发明专利35项，发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列；

　　半导体行业上下游产业链之间具有高度的黏性，下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求，一旦对选用的功率器件产品经过测试、认证并规模化使用之后将不会轻易更换供应商，因此公司一直高度重视产品质量管理和客户关系的维护。公司建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入多个下游细分领域，且已为下业内多家龙头客户供货。

　　国内半导体产品特别是高端半导体产品严重依赖进口。公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司研发的产品紧跟国外一线品牌，如英飞凌、安森美、意法半导体等，并凭借成本、区域优势逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代。公司屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型场截止IGBT产品平台已实现量产，部分产品的参数性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相当，公司产品具有较强的进口替代优势。近年来，MOSFET、IGBT等先进半导体功率器件目前国产替代化趋势十分明显。2017年以来包括纳恩博、飞毛腿、富士康等多个下游细分行业内龙头企业均与公司建立了合作关系或进行了前期洽谈。

　　应对单一市场波动风险的能力，但半导体分立器件行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关，国内经济整体增速放缓及中美贸易摩擦等因素通过对下业的生产经营产生不利影响进而传导至半导体分立器件行业。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，下业的波动和低迷会导致对半导体分立器件的需求下降、价格敏感性提高。

　　2017年至2018年，受益于下游市场需求的持续增长，积极拓展毛利率较高的下游应用行业，大力开发新产品和新技术，积极开拓龙头客户从而提升公司品牌影响力和市场美誉度，公司综合毛利率保持稳定上升的趋势。2019年，受中美贸易摩擦及国内市场竞争有所加剧等因素影响，公司芯片和功率器件毛利率有所下降。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，将导致公司综合毛利率下降。

　　公司是国内功率半导体前十名，成立仅有七年便挤进行业前十、完成上市目标，不得不佩服管理层的领导力和执行力，过去几年公司实现了高速增长并进入平台期，未来几年有望在国产化大趋势下完成平台的跨越、步入新的增长周期，但需要多久还有待观察。