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行业还在努力跟上摩尔定律，但除了制程工艺放缓之外，架构设计同样至关重要。得益于从平面型到鳍式场效应管的过渡，芯片性能在过去10年的提升还能勉强跟上摩尔定律。 从2012年发布第一代22nm制程工艺开始， 鳍式场效应管（FinFET）晶体...
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金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的正电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接...
在开关电源中，光耦隔离的使用最为广泛。光耦隔离可以单向传输信号，通过光电转换的形式完成初次级隔离，来避免次级侧敏感元件受到干扰。但光耦隔离驱动存在共模干扰抑制能力较差、隔离性能与可靠性不够高、传输延时较长、驱动器损耗高等缺点，难以满足当今...
深圳市广纳信电子有限公司 经销批发的场效应管、三极管、IC、IGBT管畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。深圳市... 全新原装 IRF840 IRF840PBF场效应管 逆变器...
其实就是具有两种N型材料（或负载流子），而只有一种P型材料（或正载流子）的双极结型晶体管的名称，NPN 晶体管使用下面的示意图符号。NPN 晶体管有两种 N 型材料夹着 P 型材料，在N型材料中，负电荷占优势，而在P型材料中正电荷占优势。...
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