分为两种：势垒电容和扩散电容。二极管的结电容等于两者之和，在PN结反偏的情况下，势垒电容主导作用。在PN结正偏的情况下，扩散电容主导作用。节电容并不是两个管脚引起杂散电容，是由于PN节的特性产生的。

　　其实这个势垒电容很好理解，我们都知道在PN结半导体中由于扩散的缘故，PN结附近会形成一个空间电荷区，又叫做耗尽区。

　　当我们给PN结施加反向电压，反向电压形成的外部电场和和内部电场方向相同，N区域自由电子电源拉向电源正极，P区的空穴被电源负极输出的电子填充，内部电场得到加强，漂移运动加强，空间电荷区变宽，如果施加的反向电压是个变化的电压，那么这个空间电荷区会随着电压增加而变宽，随着电压减小而变窄，拿电容来类比，PN结变宽电容两个极板距离拉大电容减小，PN结变窄电容两个极板距离拉近电容增大。这个等效的“电容”就叫做势垒电容。变容二极管就是利用了这个特性，当然变容二极管的PN结接触面积更大，再加上特殊工艺制作，使得变容二极管的势垒电容比普通二极管大的多。如下示意图，白色空穴，蓝色电子。

　　给二极管施加正向电压，正向电压形成的外部电场和内电场方向相反，内部电场受到外部电场“挤压”，削弱了内部电场，促进了自由电子向P区扩散，也就是说自由电子更容易从N区进入P区，进入P区的电子在PN结附近浓度高，远离PN结的浓度低，同样道理进入N区的空穴聚集在PN结附近，如下图所示，浓度都是靠近PN结浓度大，在正向偏置电压不变的情况下，达到一种平衡态，存储了一定量的电荷，如果外部正向偏置是个变化量，那么存储的电荷也是变化量类似于电容的重放电。这种扩散现象等效的电容叫做扩散电容。如下示意图，白色空穴，蓝色电子。

　　一般我们在二极管手册中看到的结电容是指的势垒电容，有的厂家标注Vr=0时的结电容，即，在没有外加电压时的结电容，有的厂家标注反向电压Vr为固定值时的结电容，都差不多。如下图所示：

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　　均属由阳极和阴极构成的元器件，表示其本质功能和特性的项目基本相同。那么“究竟有什么区别呢？”，答案就是“根据

　　同时放在脑里。可以理解为基本的功能加上各种各样的形状来补充。1. 按频率分类最基本的分类方法。

　　杂质离子）也很大。因此，空间电荷区域变窄，电场强度可以很高。因此齐纳击穿主要发生在杂质浓度较高的

　　从截止转为正向导通所需的时间称为开通时间。这个时间同反向恢复时间相比是很短的。这是由于ＰＮ结在正向偏压作用下，

　　` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 编辑 ROHM肖特基

　　继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基

　　（以下SiCSBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第

　　代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品

　　（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成

　　是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基

　　电流击穿前电流几乎不随反向电压变化，具体数学推导很简单，结合耗尽近似解一下泊松方程

　　，所以我想自己搭电路来测试。查了一些资料，找到了两条公式1. f=1/(2*PI*RL*CJ)，2.

　　的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。ROHM公司推出了两款表面贴装肖特基

　　，其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用

　　耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基

　　(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V

　　存在极性，有正负引脚区分。图中两个连接方式，都是合理的吗？图中所示，两种

　　连接交流电源的情况。我的理解：左图中，整个电路，正电荷顺时钟跑，到达单向导通的

　　是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基

　　（PowerDiode，PD）是指可以承受高电压、大电流，具有较大耗散功率的

　　，它与其他电力电子器件相配合，作为整流、续流、电压隔离、钳位或保护元件，在

　　内阻100欧，负载电路的电流没有限制，一般在20MA到40MA左右，稳压

　　我个人认为前者是主要矛盾，类似大坝贮水，水位越高，水量越大，水量除以水位=水容，可以类比（电量/电位=

　　） 后者是次要矛盾，类似大坝本体的渗水，显然，本体渗水的能力是有限的。请问，这么类比对么？

　　，型号分别为RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60A

　　。五者的VRM（峰值反向电压）均为35V，反向电压（VR）均为30V。RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30的平均正向整流

　　（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导体结”，其全名应为肖特基

　　整流器是非常受设计人员欢迎的器件，因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列

　　属于低功耗、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降

　　分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基

　　SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基

　　整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器，以及作为续流

　　还广泛用于笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字卫星接收机和机顶盒的电源等等。`

　　（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型

　　肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基

　　是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流

　　（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），也有人叫做：肖特基

　　具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有

　　具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有

　　低(约低0.2V)。2、由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基

　　和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基

　　（以下简称为SBD）的相关特征和应用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN结，而是利用硅称之为

　　和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30是ROHM公司推出的4款肖特基

　　区内，都有一定的少数载流子的积累，而且它们的密度随电压而变化，形成一个附加的