的动态性能;美国弗吉尼亚理工学院、州立大学和NexGen电力系统公司首次对垂直(GaN)功率 的动态电阻( RON)和阈值电压(VTH)稳定性进行了实验表征。研究...... 用于开关小于250 mV的信号,则泄漏电流(25⁰C)将为...
。而在这其中,争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到晶体管的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中,业界都争先恐后地推出各种新的晶体管技术。)元件已取得重大进展。许多研究人员也正努力推动FinFET元件的研究工作。而包括...
上市公司的年报往往是投资者们的重要参考指标。随着年报披露接近尾声,对于那些上市首年便出现业绩“变脸”的公司,投资者需要格外警惕。 据界面新闻统计,截至目前,结合年报及年报预告或快报来看,共有7家公司业绩上市即“变脸”,其中,安达科技(8...
现在,3nm制程工艺的CPU已经在大面积使用了。那么,你知道芯片里面这个3nm 之后以计算机为首,电子技术取得急速发展。正因为它如此地丰富了人们的生活,就其贡献度而言,作为发明者的3位物理学家 —— 肖克莱博士、巴丁博士和布拉顿博士,当...
;;; 图4.13是将在图4.4设计的FM24C16B-GTR电压放大级的Tri用PNP晶体管来组成的电路。;;;;;;;;;;;;;;;;;; ; ;;; 即使使用PNP晶体管,偏置电路以后的电路仍完全相同。为了能与图4.4作比较,将电...
TR双极晶体管,是电子学中最常用的元件之一。它的名称来源于其内部的三个掺杂区域,分别是N型区、P型区和N型区。其中,P型区称为基区,N型区称为发射区和集电区。NPN晶体管的基区是较薄的区域,而发射区和集电区是较厚的区域。 NPN晶体管由...
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