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是场效应晶体管(FET)的一种，其栅极通过使用绝缘层进行电隔离。因此，它也被称为IGFET(绝缘栅场效应晶体管)。 MOSFET或金属氧化物半导体场效应晶体管是一种具有四个终端的场效应晶体管，即漏极、栅极、源极和体/衬底。本体端子与源端...
晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。 三极管有三个区、三个电极。其中基区（三极管中间的一层薄半导体）引出基极b；两...
如果我们尝试将pn结焊接到np结上，我们会得到如图1所示的器件，其中字母E、B和C分别表示发射极、基极和集电极。这是对p、n、p三个区域的命名。 相反，如果我们将np结焊接到pn结上，我们就会得到如图2所示的器件，其中E、B和C在掺杂方...
沟道夹断, IDS = 0 . 根据栅p-n结耗尽层厚度等于沟道宽度, 得: 20微米，栅氧化层厚度100nm，铝栅电极，AL－SiO2－Si。 • 1972年，CMOS技术以低功耗等优点在大规模生产的LED电 路中采用。 • 198...
是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理...
１９４７年１２月２３日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，３位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。 他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。３位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通...
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