在上一个教程中，我们看到了标准的双极晶体管或BJT，有两种基本形式。NPN（Negative-Positive-Negative）类型和PNP（Positive-Negative-Positive）类型。

　　最常用的晶体管配置是NPN晶体管。我们还了解到双极晶体管的结可以以三种不同的方式偏置 -公共基极，公共发射极和公共集电极。

　　在本教程中，关于双极晶体管，我们将更详细地讨论使用双极NPN晶体管的“共发射极”配置，并举例说明NPN晶体管的构造以及晶体管电流特性如下所示。

　　此外，晶体管从集电极端子到发射极端子的电流增益 Ic / Ie ，被称为 Alpha ，（），并且是晶体管本身的函数（电子在结点上扩散）。由于发射极电流 Ie 是非常小的基极电流加上非常大的集电极电流之和，因此（）的值非常接近于1，并且对于典型的低功率信号晶体管，该值的范围为约0.950至0.999

　　上面的等式 Beta 也可以重新排列，使 Ic 作为主题，并使用零基极电流（ Ib = 0 ）得到的集电极电流 Ic 也将为零，（ * 0 ）。而且，当基极电流高时，相应的集电极电流也将很高，导致基极电流控制集电极电流。双极结型晶体管最重要的特性之一是，小的基极电流可以控制更大的集电极电流。请考虑以下示例。

　　通过控制基极信号，将其用作半导体开关，将负载电流设为“ON”或“OFF”。在其饱和或截止区域中的晶体管，双极NPN晶体管也可用于其有源区域，以产生一个电路，该电路将放大施加到其基极端子的任何小交流信号，其中发射极接地如果首先将合适的DC“偏置”电压施加到晶体管Base端子，从而使其始终在其线性有源区域内工作，则产生称为单级共射极放大器的反相放大器电路。

　　磅 。还可以在曲线上构建载荷线以确定合适的操作或Q点，其可以通过调节基础电流来设置。该负载线的斜率等于负载电阻的倒数，其给出如下： -1 / R L

　　然后我们可以定义aNPN晶体管通常为“OFF”，但其基极（ B ）相对于其发射极的输入电流和正电压较小（ E ）将其设置为“ON”，允许更大的集电极 - 发射极电流流动。当 Vc 远大于 Ve 时，NPN晶体管会导通。

　　在下一个关于双极晶体管的教程中，我们将会看到在 NPN晶体管的相反或互补形式称为PNP晶体管，并表明PNP晶体管具有与双极NPN晶体管非常相似的特性，除了电流和电压方向的极性（或偏置）相反。