（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN102306663A（43）申请公布日2012.01.04（21）申请号CN4.9（22）申请日2011.09.22（71）申请人上海先进半导体制造股份有限公司地址200233上海市徐汇区虹漕路385（74）专利代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人（51）Int.CIH01L29/808;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/337;权利要求说明书说明书（54）发明名称JFET晶体管及其形成方法（57）摘要本发明提供了一种JFET晶体管及其形成方法，所述JFET晶体管包括：半导体衬底；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；第二掺杂类型的栅极注入区，位于所述外延层中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的源极引出区和漏极引出区，分别位于所述栅极注入区两侧的外延层中；第一掺杂类型的埋层，位于所述漏极引出区下方的半导体衬底内。本发明有利于降低漂移区扩展电阻，增大饱和电流。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2012-01-04公开公开2012-02-22实质审查的生效实质审查的生效2014-01-01授权授权权利要求说明书JFET晶体管及其形成方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书JFET晶体管及其形成方法的说明书内容是....请下载后查看