图2 - 68 (a)为PNP晶体管内部结构示意图，它由两个背靠背的PN结构成，我们用b 7表示管子内部两个PN结的连接点，以区别于基极引线T由于基区很薄并且掺杂少，因此从基区内部到管子外部就有一个不能忽略的体积电阻，用符号r“表示。在晶体管手册

　　如图2 - 68所示电路中，当晶体管的集电极和发射极之间加电压UCE时，则集电结的反向电压很高，于是基区的少数载流子（空穴）和集电区的少数载流子（自由电子，以下简称电子）分别流向对方，这就形成了集电极反向饱和电流I(BO。

　　这时因基极开路，I㈣，在基极回路没有通路，于是由于基区失去空穴而又注入电子，使基区失去电中性，迫使基区电位下降，致使基极和发射极之间存在着电位差，这个电位差对发射结来说正好是正向电压，U品，。这样发射区便向基区发射空穴，其中一少部分空穴在基区中复合而形成基区复合电流矗，而绝大部分空穴被集电极收集形成I。

　　根据晶体管放大原理则I一pl/。在基区复合的这部分空穴正好弥补由于ICB(，在基区所造成的电荷不平衡，从而满足基区的电中性，所以E—J㈣，。这集电极的反向电流即为穿透电流，即ICEO一ICBO +prCBO一(i+p)，㈣）。所以ICEOICB()。

　　如果基极与发射极短路，如图2 - 68 (b)所示，则ICB()将被基极回路分出一部分电流Ib，如图2- 68 (b)所示。

　　因为ICBO在温度不交的情况下是一个定值，因此分流以后剩下的部分就比图2- 68 (a)中的瓦少了，设为髭但它仍会造成基区电位的下降，不过下降的程度比基极开路时小，也就是发射结正向电压比基极开路时小得多了，因而这时集电极的反向电流ICES—ICBO十prLICEO但ICESICB()。

　　根据前面的道理，如果基极与发射极接有电阻R，那么这时基极回路电阻变为R+rl“，自然会使基极回路对ICB(，的分流减小。当然ICERICES。因此综合上述情况，集电极反向电流存在着ICBOICESICERICEO的关系。

　　图2 - 68 (a)为PNP晶体管内部结构示意图，它由两个背靠背的PN结构成，我们用b 7表示管子内部两个PN结的连接点，以区别于基极引线T由于基区很薄并且掺杂少，因此从基区内部到管子外部就有一个不能忽略的体积电阻，用符号r“表示。在晶体管手册

　　如图2 - 68所示电路中，当晶体管的集电极和发射极之间加电压UCE时，则集电结的反向电压很高，于是基区的少数载流子（空穴）和集电区的少数载流子（自由电子，以下简称电子）分别流向对方，这就形成了集电极反向饱和电流I(BO。

　　这时因基极开路，I㈣，在基极回路没有通路，于是由于基区失去空穴而又注入电子，使基区失去电中性，迫使基区电位下降，致使基极和发射极之间存在着电位差，这个电位差对发射结来说正好是正向电压，U品，。这样发射区便向基区发射空穴，其中一少部分空穴在基区中复合而形成基区复合电流矗，而绝大部分空穴被集电极收集形成I。

　　根据晶体管放大原理则I一pl/。在基区复合的这部分空穴正好弥补由于ICB(，在基区所造成的电荷不平衡，从而满足基区的电中性，所以E—J㈣，。这集电极的反向电流即为穿透电流，即ICEO一ICBO +prCBO一(i+p)，㈣）。所以ICEOICB()。

　　如果基极与发射极短路，如图2 - 68 (b)所示，则ICB()将被基极回路分出一部分电流Ib，如图2- 68 (b)所示。

　　因为ICBO在温度不交的情况下是一个定值，因此分流以后剩下的部分就比图2- 68 (a)中的瓦少了，设为髭但它仍会造成基区电位的下降，不过下降的程度比基极开路时小，也就是发射结正向电压比基极开路时小得多了，因而这时集电极的反向电流ICES—ICBO十prLICEO但ICESICB()。

　　根据前面的道理，如果基极与发射极接有电阻R，那么这时基极回路电阻变为R+rl“，自然会使基极回路对ICB(，的分流减小。当然ICERICES。因此综合上述情况，集电极反向电流存在着ICBOICESICERICEO的关系。