右边，三极管被2个二极管替代，其它不变。结果，“基极”电流1.23mA基本一致，但“集电极”电流约9.9pA，小到可忽略。即“集电极”没有导通，更没有电流放大了。

　　基区宽度，必须远小于基区少子的扩散长度。给出典型值感受一下，前者是2微米，后者是30微米，相差15倍，满足远小于的要求。

　　（扩散长度：载流子扩散跨过耗尽层，进入了对方的主场，自己成了少子，都会与多子相遇并复合掉，在相遇之前扩散的平均距离。类似于，几只鸭子，游入满是鳄鱼的河流，在被鳄鱼咬到之前，游过的距离）

　　从发射区扩散到基区的电子，只有不足1％的能与空穴复合，都直接穿过了整个基极，进入了下一个PN结的耗尽层，因为相比于扩散长度，基极太窄了。这完全不同于单PN结中的情况：扩散越过耗尽层的电子，大多都会与空穴复合。

　　这意味着，这2个PN结，由于共用一个极窄的基区，已经深度地相互影响，必须合为一个整体来分析。量变积累成质变，一种新的器件即将诞生！

　　二极管中，PN结反向是不可能导通的，除非反向击穿这一特殊情况。三极管中，集电极侧的PN结，反向导通居然是常态，不是反向击穿。这是怎么做到的？

　　先回顾一下，二极管的反向截止：反偏下多子无法参与导电，只有少子参与，但是少子电流太小，远不足以称之为导通，少子数量太少了。

　　从发射区扩散到基区的电子，超过99％都没有机会与空穴复合，都成为了基区中新的少子。这正是期待中的援军，且数量可观，基区的少子不再少。所以，集电极侧的PN结反向也能导通，关键是附近有神一样的队友。

　　发射极侧的PN结正偏，浓度差压力是主导；集电极侧的PN反偏，内建电场牵引力是主导。在单个PN结内部，这两个力量是对抗的；在反贴一起的2个PN结之间，却是合作的，归功于三极管布局的巧妙。

　　途中的两个耗尽层，不是要费力跨越的障碍，而是电子输运的强力加速器，一个强推着电子冲，另一个强拉着电子跑。一推一拉，配合相当默契。

　　所以，从发射极到集电极，全线导通。并且，电子的输运，不是犹豫无力的，而是坚决的，迅速的，势不可挡的。

　　关键在于不同的掺杂浓度，发射区的远大于基区的。感受一下典型值，发射区掺杂浓度10^{18}cm^{-3}，基区掺杂浓度10^{16}cm^{-3}，前者是后者的100倍。可估算电流放大倍数是100，就这么简单，掺杂浓度决定数量级，是主要因素，其他都是次要因素。

　　基极电流Ib，就是从基区扩散到发射区的空穴电流，正比于基区的掺杂浓度。发射极电流Ie，就是从发射区扩散到基区的电子电流，正比于发射区的掺杂浓度。所以，电流放大倍数(即Ie/Ib)主要取决于，发射极与基极的掺杂浓度之比。

　　通常三极管的设计中，发射区是重掺杂，基区是中等掺杂，集电区次之。掺杂浓度上，有意“重此轻彼”，实现较强的电流放大。

　　表面上，存在关系式Ie=β*Ib ，计算简便；而且BJT的电路简化模型，也是依据这个公式。正是如此，才导致流控的观点，越发流行，几乎成了共识。但是，用来理解三极管的原理，就是一个大坑；木旦文本人，蹲此坑多年，经验丰富。此关系式与简化模型，只是为了硬件工程师用起来方便，不是用来理解原理的，简化过程可能违背了原理。

　　从原理实质上，其实是电压Vbe同时控制Ie与Ib，即一个电压控制着两个电流。先是Vbe削弱了发射结的内建电场，然后扩散强于漂移，发射区多子电子扩散进入基区形成Ie，同时，基区多子空穴扩散进入发射区形成Ib；先与后，因与果，非常清晰，无法颠倒。Vbe通过控制发射结的内建电场，同时控制Ie与Ib，这两个电流是平级关系，谁也控制不了谁。

　　犹如，一个水库里，一个超宽水闸，同时控制2个不同宽度的水平并列的泄洪口，宽度比是10:1。只要测量窄口的水流量，乘以10就是宽口的水流量。

　　路过水库的人，一看就明白，是水闸的抬起高度，同时控制着两个口的水流量；少有人会相信，是窄口的控制着宽口的。

　　对立与统一，三极管中也有辩证法，如此丰富，不敢相信！她有趣的灵魂，已若隐若现。

　　如果意犹未尽，这里还有：(BJT饱和区、JFET原理、MOS原理，三管演义)