场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。

　　在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的单个元件、由各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应晶体管、可控硅等。晶体管有时指晶体的晶体管。

　　晶体管分为两大类：双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极晶体管有三个极，分别是发射极、基极和集电极。场效应晶体管有三个极：源极、栅极和漏极。

　　双极性晶体管是指一种常用于音频电路的晶体管。两极是由流经两种半导体材料的电流系统之间的关系而来。双极性晶体管可根据工作电压的极性分为npn或pnp类型。

　　双极晶体管和MOSFET晶体管的工作原理相同。从根本上说，这两种晶体管都是电荷控制器件，这就意味着它们的输出电流与控制电极在半导体中形成的电荷成比例。将这些器件用作开关时，都必须由能够提供足够灌入和拉出电流的低阻抗源来驱动，以实现控制电荷的快速嵌入和脱出。

　　从这一点来看，在开关期间，MOSFET必须以类似于双极晶体管的形式进行“硬”驱动，以实现可媲美的开关速度。从理论上来说，双极晶体管和MOSFET器件的开关速度几乎相同，这取决于电荷载流子在半导体区域中传输所需的时间。功率器件的典型值大约为20 至200 皮秒，具体取决于器件大小。

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　　是一种小型设备，用于引导便携式无线”基本上表示尺寸和特定输出额定值。工程师和电子专家通常会给

　　等效电路的电学特性的的PSPICE仿真该如何去做？、有啥思路？[em:9:]

　　的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应

　　）电流非常小（电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种

　　中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr

　　的依据。为了使管子安全可靠的工作，必须注意它的参数。本文主要论述以AduC812为核心的

　　电路设计（下）》是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。本书作为下册主要介绍

　　／FET电路设计技术的基础知识和基本实验，内容包括FET放大电路、源极跟随器电路、功率放大器

　　输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得

　　发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于R×1k档， NPN型

　　的放大倍数？有的器件有放大倍数改变的参数。另外，不同的仿真模型参数不同如何改变？

　　的设计，运算放大电路的设计与制作。下册则共分15章，主要介绍FET、功率

　　、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍

　　对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE

　　。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应

　　”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理

　　”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。下面以“功率元器件”为主

　　的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速

　　作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从

　　的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速

　　内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，

　　各项性能指标的要求是不同的。所以，应根据应用电路的具体要求来选择不同用途，不同类型的

　　中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr

　　（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能

　　来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教

　　电路设计》(上)面向实际需要，理论联系实际，通过大量具体的实验，通俗易懂地介绍

　　）结构。为确保透明，我们可以调整这种设计，将这些不透明金属改变为透明导电材料如氧化铟锡，它广泛应用于透明

　　年代和 1960 年代，它也被称为超级阿尔法对。Darlington认识到这种设计对发射极-跟随电路的诸多优势，并为这一

　　的结构、它们在各种应用中的用途，以及它们相对于 MOSFET 的优缺点。什么是鳍式场效应

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　　的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。

　　应注意输入阻抗、低频跨导、夹断电压（或开启电压）、击穿电压待参数。大功率场效应

　　基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下：加速电路一在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为加速电容，数值一般在1nf

　　电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？

　　选定方法①使TR达到饱和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②输入电阻：R1是±30% E-B间的电阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V数字

　　的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字

　　。FETField Effect Transistor的简称，是指场效应

　　相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式

　　2000一5000（α＝0.995-0.9998）。是以P型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着

　　本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑 請問各大大有無 Multisim 14 基本