，从图中可以看到由于源漏两端横向扩散导致栅极板有部分为无效区域，所以实际有效栅长为

　　与NMOS相对比，PMOS有较低的电流驱动能力（拉扎维第二版P16）基本结构与NMOS相类似，但是需要注意的是：由于所有器件都是在一块晶圆上制造，所以所有器件都是以P为衬底，而PMOS的衬底需要是N型，这就使得PMOS需要再单独加一层N型衬底，称为N阱工艺，而N阱Bulk端还需要接高电位。

　　①阈值电压：是指形成载流子沟道时（耗尽层 - 反型层、载流子沟道）的栅电压，称为V_{TH}，NMOS为正，PMOS为负

　　②过驱动电压：V_{GS}-V_{TH}，过驱动电压会影响信号摆幅（拉扎维P16）

　　③三极管区/线性区：V_{DS} \le V{GS}-V_{TH}时，此时MOS管可以看成是线性电阻因此称为线性区

　　沟道调制系数计算如下：\lambda = \frac{1}{V_E L}其中V_E指的是厄尔利电压，在特定工艺下是一个常数，单位为v/um，L指的是管子栅长，\lambda单位为V^{-1}。（厄尔利电压仿真可以参考：沟道长度调制系数λ或是厄尔利电压粗略仿真方法 - 哔哩哔哩）

　　在之前假设情况下当MOS管进入饱和区后成了恒流源，电流基本不变，但是加入沟道调制之后使得饱和区并非完全恒流，曲线会出现非零斜率，并且沟道越长，\lambda越小；而当MOS管在线性区/三极管区时不存在沟道调制效应，因为此时沟道还未夹断。

　　过驱动电压给定时，L越大，沟道对电流影响越小，电流源越理想，但是电流会变小，电流能力减弱，因此要想达到与原来相同的电流能力需要按比例增大W，但是增大W会导致曲线斜率加倍。