最早具有实际结构的场效应晶体管是在 N型或者P型半导体基片上制作一对PN 结及相应的金属电极，两个PN结之间有导电沟道，通过改变外加PN界的反向偏 置电压，以改变PN结耗尽层的厚度，从而达到改变沟道区载流子密度以控制沟 道输出电流的目的，因此，这种场效应管也被称为 PN结型场效应晶体管，即PN

　　一种单极的三层晶体管，它是一种控制极是由 pn组成的场效应晶体管： 工作依赖于惟一种载流子 -电子或空穴的运动。对于一个 “正常接通”器

　　件，每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时，或是当 P沟道JFET 的漏极电压相对于源极为负时，都有电流在沟道中流过。在 JFET沟道中的

　　电流受栅极电压的控制，为了 “夹断”电流的流动，在 N沟道JFET中栅极 相对源极的电压必须是负的；或者在 P沟道JFET中栅极相对源极的电压必

　　须是正的。栅极电压被加在横跨 PN结的沟道上，与此相反，在 MOSFE开

　　半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数 载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同，它是 由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运， 少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管 又称单极晶体管。1925〜 体中电流影响的基本概念。 1933年。.海尔提出薄膜 FET器件的结构模型，

　　在实验中观察到“场效应”现象，但当时由于工艺水平所限，没有做成实 用器件。1952年以后，（JFET）的基本理论。 一年以后制成JFETo 60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管

　　功耗小，温度性能好，抗辐照能力强，多功能，制造工艺简单等。由于电 荷存储效应小、反向恢复时间短，故开关速度快，工作频率高。器件特性 基本呈线性或平方律，故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。 FET已广

　　泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。 FET是MO队规模集成电路

　　左右）。在漏-源极间加一正电压（vDS0）,使N沟道中的多数载流子电子 在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成漏极电流 iDo iD的大小主要

　　受栅-源电压vGS控制，同时也受漏-源电压vDS的影响。因此，讨论场效 应管的工作原理就是讨论栅 -源电压vGS对漏极电 N沟道结型场效应

　　管工作时，也需要外加如图 1所示的偏置电压，即在栅 -源极间加一负电压

　　（vGS0）,使栅-源极间的P+N结反偏，栅极电流iG = 0,场效应管呈现很 高的输入电阻（高达108 编辑本段流iD的作用

　　流iD (或沟道电阻)的控制作用，以及漏 -源电压vDS对漏极电流iD 的影响。

　　图2所示电路说明了 vGS对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假 设漏-源极间所加的电压 vDS=0。当栅-源电压vGS=0时，沟道较宽，其电阻 较小，如图2(a)所示。当vGS0,且其大小增加时，在这个反偏电压的作 用下，两个P+N结耗尽层将加宽。由于 N区掺杂浓度小于 P+区，因此，随

　　增大，如图2(b)所示。当vGS进一步增大到一定值VP时，两侧的耗尽 层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断，如图 2(c)所示。由于耗尽层中没 有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压 vDS,漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压称为夹断电压，用 VP表示。

　　由于结型场效应管的栅极输入电流 iG0,因此很少应用输入特性，常