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Junction Field Effect Transistor）的构造比较简单，曾经是一种主力的FET器件。不过近年来用得比较少了，其分立应用场景已日渐被MOSFET所取代，主要原因之一是它需要使用负电压来进行偏置，使得电路设计起来不太...
，从图中可以看到由于源漏两端横向扩散导致栅极板有部分为无效区域，所以实际有效栅长为 与NMOS相对比，PMOS有较低的电流驱动能力（拉扎维第二版P16）基本结构与NMOS相类似，但是需要注意的是：由于所有器件都是在一块晶圆上制造，所以所...
场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的对准也不会影响器件的性能。这种装置被认为是对称的。 在严格意义上，晶体管是指基于半导体材料的...
JFETJFETJFETJFETJFETJFET最早具有实际结构的场效应晶体管是在最早具有实际结构的场效应晶体管是在最早具有实际结构的场效应晶体管是在NN型或者型或者型或者PP型半导体基片上制作一对型半导体基片上制作一对型半导体基片上制作...
晶体管有线性和开关两种工作方式。当只需要导通和关断作用时采用开关工作方式。GTR主要应用于开关工作方。 开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动GTR导通，而用另一反向基极电流IB2迫使GTR关断，由于GTR不是理想开关，故在开...
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管 电压反馈放大器可根据器件中的晶体管类型进行分类：双极互补金属氧化物半导体（CMOS）或是结型场效应晶体管（JFET）。一些放大器同时使...
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