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随着数字化社会的全面普及，芯片的重要性愈发凸显，芯片技术的高度也直接决定着一个国家科技发展的上限。 一直以来，中国都希望能够在芯片领域完成“弯道超车”，但制程工艺上的不足使得我们只能通过新工艺来提升芯片的性能，填补与其他国家的差距。 ...
这款新型MOSFET采用D2PAK-7表面贴装器件（SMD）封装，提供30、40、60和80 mΩ RDson值供客户选择。这一灵活的封装和多样化 Nexperia在2023年底发布的两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MO...
进行晶体管横向设计的任务，是根据晶体管主要电学参数指标的要求，选取合适的几何图形，确定图形尺寸，绘制光刻版图。晶体管的图形结构种类繁多：从电极配置上区分，有延伸电极和非延伸电极之分；从图形形状看，有圆形、梳状、网格、覆盖、菱形等分歧的几何...
的源极接衬底，共同接到地，漏极到源极加上正电压，电子从源极向漏极流动，我们取电流的方向和电子流动的方向相反，所以电流是漏极流到源极。 NMOS晶体管工作在线性区时，漏源两端的沟道存在阻性连接，以下文字对这种阻性连接进行简单介绍。 nm...
MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。 本文将围绕SiC MOSF...
假设V CB和I E作为自变量。更具体地说，以发射极电流I E作为参数，我们有： 我们期望出现一系列反向指数爬升，如图 2 所示。由此获得的曲线构成了静态输出特性。 静态输入特性给出了发射极电流 ( IE )的变化，作为发射极和基极之...
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